Pour les visiteurs de Electronica 2024

Réservez votre temps maintenant!

Il suffit de quelques clics pour réserver votre place et obtenir le billet de stand

Hall C5 Booth 220

Inscription à l'avance

Pour les visiteurs de Electronica 2024
Vous êtes tous inscrits! Merci d'avoir pris rendez-vous!
Nous vous enverrons les billets de stand par e-mail une fois que nous aurons vérifié votre réservation.
Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Diodes - redresseurs - Single > JANTXV1N6492
RFQs/Ordre (0)
Français
Français
5178476JANTXV1N6492 imageMicrosemi Corporation

JANTXV1N6492

Demander une offre en ligne

Veuillez compléter tous les champs requis avec vos coordonnées. Cliquez sur "Soumettre RFQ", nous vous contacterons sous peu par e-mail.Ou envoyez-nous un e-mail:info@ftcelectronics.com

Prix de référence (en dollars américains)

En stock
1+
$445.50
10+
$429.00
50+
$422.40
100+
$412.50
250+
$405.90
500+
$396.00
Enquête en ligne
Spécifications
  • Modèle de produit
    JANTXV1N6492
  • Fabricant / marque
    Microsemi
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    DIODE SCHOTTKY 45V 3.6A TO205AF
  • État sans plomb / État RoHS
    Contient du plomb / Non conforme à RoHS
  • Livret des spécifications
    JANTXV1N6492.pdf
  • Tension - Inverse de crête (max)
    Schottky
  • Tension - directe (Vf) (max) @ Si
    3.6A
  • Tension - Ventilation
    TO-205AF (TO-39)
  • Séries
    Military, MIL-PRF-19500/567
  • État RoHS
    Bulk
  • Temps de recouvrement inverse (trr)
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Résistance @ Si, F
    450pF @ 5V, 1MHz
  • Polarisation
    TO-205AF Metal Can
  • Autres noms
    1086-15583-MIL
  • Type de montage
    Through Hole
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Référence fabricant
    JANTXV1N6492
  • Description élargie
    Diode Schottky 45V 3.6A Through Hole TO-205AF (TO-39)
  • Configuration diode
    2mA @ 45V
  • La description
    DIODE SCHOTTKY 45V 3.6A TO205AF
  • Courant - fuite, inverse à Vr
    560mV @ 2A
  • Courant - Moyen redressé (Io) (par diode)
    45V
  • Capacité à Vr, F
    -65°C ~ 175°C

Il est signalé que Kioxia recevra l'approbation de la ...

2024/11/21

La dernière plate-forme optique en silicium de Tower Semic...

2024/11/20

L'industrie se rétablit lentement.Le fournisseur épit...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Fournisseur: Un grand nombre de composants GPU de la série...

2024/11/18

Taiwan, la valeur de production de la semi-conducteur en Ch...

2024/11/17

Expansion de la production de panneaux OLED, LG Display inv...

2024/11/15

Amazon augmente les efforts pour créer des puces d'IA ...

2024/11/14

Le bénéfice net du Q3 de Pegatron était de 4,296 milliar...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

La Corée du Sud prévoit de promulguer la loi sur la puce ...

2024/11/13
Expédition
Paiement
Ce qui suit est des produits liés à "JANTXV1N6492".
JANTXV1N6488

JANTXV1N6488

La description: DIODE ZENER 4.3V 1.5W D5A

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
JANTXV1N6621U

JANTXV1N6621U

La description: DIODE GEN PURP 400V 1.2A A-MELF

Fabricant: Microsemi Corporation
En stock
RFQ
JANTXV1N6490

JANTXV1N6490

La description: DIODE ZENER 5.1V 1.5W D5A

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
JANTXV1N6490US

JANTXV1N6490US

La description: DIODE ZENER 5.1V 1.5W D5A

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
JANTXV1N6476US

JANTXV1N6476US

La description: TVS DIODE 51.6V 78.5V GMELF

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
JANTXV1N6620

JANTXV1N6620

La description: DIODE GEN PURP 220V 1.2A AXIAL

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
JANTXV1N6620US

JANTXV1N6620US

La description: DIODE GEN PURP 220V 1.2A D5A

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
JANTXV1N6476

JANTXV1N6476

La description: TVS DIODE 51.6V 78.5V AXIAL

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
JANTXV1N6508

JANTXV1N6508

La description: TVS DIODE 14CDIP

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
JANTXV1N6510

JANTXV1N6510

La description: TVS DIODE 16FLATPACK

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
JANTXV1N6621US

JANTXV1N6621US

La description: DIODE GEN PURP 440V 1.2A D5A

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
JANTXV1N649-1

JANTXV1N649-1

La description: DIODE GEN PURP 600V 400MA DO35

Fabricant: Microsemi Corporation
En stock
RFQ
JANTXV1N6485

JANTXV1N6485

La description: DIODE ZENER 3.3V 1.5W D5A

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
JANTXV1N6620U

JANTXV1N6620U

La description: DIODE GEN PURP 200V 1.2A A-MELF

Fabricant: Microsemi Corporation
En stock
RFQ
JANTXV1N6491US

JANTXV1N6491US

La description: DIODE ZENER 5.6V 1.5W D5A

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
JANTXV1N6511

JANTXV1N6511

La description: TVS DIODE 14CDIP

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
JANTXV1N6509

JANTXV1N6509

La description: TVS DIODE 14CDIP

Fabricant: Microsemi Corporation
En stock
RFQ
JANTXV1N6475US

JANTXV1N6475US

La description: TVS DIODE 40.3V 63.5V GMELF

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
JANTXV1N6485US

JANTXV1N6485US

La description: DIODE ZENER 3.3V 1.5W D5A

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
JANTXV1N6621

JANTXV1N6621

La description: DIODE GEN PURP 440V 1.2A AXIAL

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
En tant que seul distributeur public sur le marché libre, nous possédons une combinaison unique d'accès mondial, d'expertise de l'industrie manufacturière et de qualité éprouvée.Avec cela, nous pouvons créer des solutions personnalisées de la chaîne d'approvisionnement de bout en bout pour l'approvisionnement en composants électroniques et la gestion des stocks.
Suivez-nous
termes et conditionsPolitique d'infractionDemander un devisÀ propos de nousContactez-nousSite

Choisir la langue

Cliquez sur l'espace pour quitter

Langue courante

Choisissez votre pays ou région.