JANTXV1N6622U

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Spécifications

Modèle de produit

JANTXV1N6622U
Fabricant / marque

Microsemi
Quantité en stock

En stock
La description

DIODE GEN PURP 600V 1.2A A-MELF
État sans plomb / État RoHS

Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Modèle ECAD
Tension - Inverse de crête (max)

Standard
Tension - directe (Vf) (max) @ Si

1.2A
Tension - Ventilation

D-5A
Séries

Military, MIL-PRF-19500/585
État RoHS

Bulk
Temps de recouvrement inverse (trr)

Fast Recovery = 200mA (Io)
Résistance @ Si, F

-
Polarisation

SQ-MELF, A
Autres noms

1086-19962
1086-19962-MIL
Température d'utilisation - Jonction

30ns
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Référence fabricant

JANTXV1N6622U
Description élargie

Diode Standard 600V 1.2A Surface Mount D-5A
Configuration diode

500nA @ 600V
La description

DIODE GEN PURP 600V 1.2A A-MELF
Courant - fuite, inverse à Vr

1.4V @ 1.2A
Courant - Moyen redressé (Io) (par diode)

600V
Capacité à Vr, F

-65°C ~ 150°C

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livraison
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JANTXV1N6622

La description: DIODE GEN PURP 660V 1.2A AXIAL

Fabricant: Microsemi

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