JANTXV1N6622US

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Spécifications

Modèle de produit

JANTXV1N6622US
Fabricant / marque

Microsemi
Quantité en stock

En stock
La description

DIODE GEN PURP 660V 1.2A D5A
État sans plomb / État RoHS

Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Livret des spécifications

JANTXV1N6622US.pdf
Modèle ECAD
Tension - directe (Vf) (max) @ Si

1.4V @ 1.2A
Tension - inverse (Vr) (max)

660V
Package composant fournisseur

D-5A
La vitesse

Fast Recovery = 200mA (Io)
Séries

Military, MIL-PRF-19500/585
Temps de recouvrement inverse (trr)

30ns
Emballage

Bulk
Package / Boîte

SQ-MELF, A
Autres noms

1086-3025
1086-3025-MIL
Température d'utilisation - Jonction

-65°C ~ 150°C
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Type de diode

Standard
Description détaillée

Diode Standard 660V 1.2A Surface Mount D-5A
Courant - fuite, inverse à Vr

500nA @ 660V
Courant - Rectifié moyenne (Io)

1.2A
Capacité à Vr, F

-

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JANTXV1N6620U

La description: DIODE GEN PURP 200V 1.2A A-MELF

Fabricant: Microsemi Corporation

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