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MRF5812GR1

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Spécifications

Modèle de produit

MRF5812GR1
Fabricant / marque

Microsemi
Quantité en stock

En stock
La description

TRANS NPN 15V 200MA 8-SOIC
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

MRF5812GR1.pdf
Modèle ECAD
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)

15V
Transistor Type

NPN
Package composant fournisseur

8-SO
Séries

-
Puissance - Max

1.25W
Emballage

Tape & Reel (TR)
Package / Boîte

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Autres noms

MRF5812GR1MITR
MRF5812GR1MITR-ND
MRF5812GR1TR
Température de fonctionnement

-
Noise Figure (dB Typ @ f)

2dB ~ 3dB @ 500MHz
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Gain

13dB ~ 15.5dB
Fréquence - Transition

5GHz
Description détaillée

RF Transistor NPN 15V 200mA 5GHz 1.25W Surface Mount 8-SO
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

50 @ 50mA, 5V
Courant - Collecteur (Ic) (max)

200mA
Numéro de pièce de base

MRF5812

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Ce qui suit est des produits liés à "MRF5812GR1".

MRF5812R2

La description: RF TRANS NPN 18V 200MA 8SOIC

Fabricant: Microsemi Corporation

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