MRF5812R2

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Spécifications

Modèle de produit

MRF5812R2
Fabricant / marque

Microsemi
Quantité en stock

En stock
La description

RF TRANS NPN 18V 200MA 8SOIC
État sans plomb / État RoHS
Livret des spécifications

MRF5812R2.pdf
Modèle ECAD
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)

200mA
Tension - Ventilation

8-SO
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

18V
Séries

-
État RoHS

Tape & Reel (TR)
Resistor - Base (R1) (Ohms)

5GHz
Puissance - Max

1.25W
Polarisation

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Température de fonctionnement

150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Référence fabricant

MRF5812R2
Gain

2dB @ 500MHz
Fréquence - Transition

50 @ 50mA, 5V
type de FET

15.5dB
Description élargie

RF Transistor NPN 18V 200mA 5GHz 1.25W Surface Mount 8-SO
La description

RF TRANS NPN 18V 200MA 8SOIC
Courant - Collecteur (Ic) (max)

NPN

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livraison
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MRF559T

La description: COMM/BIPOLAR TRANSISTOR

Fabricant: Microsemi

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