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UNR32A4G0L

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Spécifications
  • Modèle de produit
    UNR32A4G0L
  • Fabricant / marque
    Panasonic
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    TRANS PREBIAS NPN 100MW SSSMINI3
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    UNR32A4G0L.pdf
  • Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)
    50V
  • Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
    250mV @ 300µA, 10mA
  • Transistor Type
    NPN - Pre-Biased
  • Package composant fournisseur
    SSSMini3-F1
  • Séries
    -
  • Résistance - Base de l'émetteur (R2)
    47 kOhms
  • Résistance - Base (R1)
    10 kOhms
  • Puissance - Max
    100mW
  • Emballage
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Boîte
    SOT-723
  • Autres noms
    UNR32A4G0LTR
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Fréquence - Transition
    150MHz
  • Description détaillée
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 80mA 150MHz 100mW Surface Mount SSSMini3-F1
  • Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce
    80 @ 5mA, 10V
  • Courant - Collecteur Cutoff (Max)
    500nA
  • Courant - Collecteur (Ic) (max)
    80mA

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UNR32AB00L

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UNR32A300L

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UNR32AE00L

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UNR32A600L

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UNR32AA00L

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UNR32A700L

UNR32A700L

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UNR32A6G0L

UNR32A6G0L

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UNR32A1G0L

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UNR32A5G0L

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UNR32AEG0L

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UNR32A400L

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UNR32A0G0L

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UNR32A000L

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UNR321600L

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UNR32A3G0L

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UNR321N00L

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UNR32AAG0L

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UNR32A500L

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UNR32A100L

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UNR321300L

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