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UNR412100A

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Spécifications
  • Modèle de produit
    UNR412100A
  • Fabricant / marque
    Panasonic
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    TRANS PREBIAS PNP 300MW NS-B1
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    UNR412100A.pdf
  • Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)
    50V
  • Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
    250mV @ 5mA, 100mA
  • Transistor Type
    PNP - Pre-Biased
  • Package composant fournisseur
    NS-B1
  • Séries
    -
  • Résistance - Base de l'émetteur (R2)
    2.2 kOhms
  • Résistance - Base (R1)
    2.2 kOhms
  • Puissance - Max
    300mW
  • Emballage
    Tape & Box (TB)
  • Package / Boîte
    3-SSIP
  • Autres noms
    UNR412100ATB
  • Type de montage
    Through Hole
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Fréquence - Transition
    200MHz
  • Description détaillée
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 500mA 200MHz 300mW Through Hole NS-B1
  • Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce
    40 @ 100mA, 10V
  • Courant - Collecteur Cutoff (Max)
    1µA
  • Courant - Collecteur (Ic) (max)
    500mA

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Paiement
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La description: TRANS PREBIAS PNP 300MW NS-B1

Fabricant: Panasonic
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UNR421300A

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La description: TRANS PREBIAS NPN 300MW NS-B1

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RFQ
UNR42160RA

UNR42160RA

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Fabricant: Panasonic
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RFQ
UNR411200A

UNR411200A

La description: TRANS PREBIAS PNP 300MW NS-B1

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RFQ
UNR42170RA

UNR42170RA

La description: TRANS PREBIAS NPN 300MW NS-B1

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RFQ
UNR411800A

UNR411800A

La description: TRANS PREBIAS PNP 300MW NS-B1

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RFQ
UNR411H00A

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La description: TRANS PREBIAS PNP 300MW NS-B1

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UNR411E00A

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UNR412200A

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UNR421100A

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UNR421200A

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UNR411L00A

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UNR411F00A

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UNR421400A

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UNR411900A

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UNR41160RA

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UNR412400A

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UNR42100RA

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UNR411300A

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UNR412300A

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