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4325590SICR101200 imageSensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions

SICR101200

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$7.185
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$5.958
500+
$5.433
1000+
$4.732
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Spécifications
  • Modèle de produit
    SICR101200
  • Fabricant / marque
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    DIODE SCHOTTKY SILICON CARBIDE S
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
  • Tension - directe (Vf) (max) @ Si
    1.8V @ 10A
  • Tension - inverse (Vr) (max)
    1200V
  • Package composant fournisseur
    TO-220AC
  • La vitesse
    No Recovery Time > 500mA (Io)
  • Séries
    -
  • Temps de recouvrement inverse (trr)
    0ns
  • Package / Boîte
    TO-220-2
  • Autres noms
    1655-1955
  • Température d'utilisation - Jonction
    -55°C ~ 175°C
  • Type de montage
    Through Hole
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    Not Applicable
  • Délai de livraison standard du fabricant
    12 Weeks
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Type de diode
    Silicon Carbide Schottky
  • Description détaillée
    Diode Silicon Carbide Schottky 1200V 10A Through Hole TO-220AC
  • Courant - fuite, inverse à Vr
    100µA @ 1200V
  • Courant - Rectifié moyenne (Io)
    10A
  • Capacité à Vr, F
    640pF @ 0V, 1MHz
SICR5650

SICR5650

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Fabricant: Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions
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SICH100-C

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SICRD5650TR

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SICR10650CT

SICR10650CT

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SICR10650

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Fabricant: Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions
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SICH75-C

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Fabricant: Panduit
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SICH38-M

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Fabricant: Panduit
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SICH25-M

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Fabricant: Panduit
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SICH150-C

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SICRF10650

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SICH38-C

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SICRB5650TR

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SICH75-M

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SICR6650

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SICH25-C

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SICH50-M

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SICH50-C

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SICRD6650TR

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SICRF101200

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