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603973SICRF5650 imageSensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions

SICRF5650

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2500+
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Spécifications
  • Modèle de produit
    SICRF5650
  • Fabricant / marque
    Sangdest Microelectronics / Nanjing (SMC Diode Solutions)
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    DIODE SCHOTTKY SILICON CARBIDE S
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    SICRF5650.pdf
  • Tension - directe (Vf) (max) @ Si
    1.7V @ 5A
  • Tension - inverse (Vr) (max)
    650V
  • Package composant fournisseur
    ITO-220AC
  • La vitesse
    No Recovery Time > 500mA (Io)
  • Séries
    -
  • Temps de recouvrement inverse (trr)
    0ns
  • Package / Boîte
    TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
  • Autres noms
    1655-1948
  • Température d'utilisation - Jonction
    -55°C ~ 175°C
  • Type de montage
    Through Hole
  • Délai de livraison standard du fabricant
    12 Weeks
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Type de diode
    Silicon Carbide Schottky
  • Description détaillée
    Diode Silicon Carbide Schottky 650V 5A Through Hole ITO-220AC
  • Courant - fuite, inverse à Vr
    60µA @ 650V
  • Courant - Rectifié moyenne (Io)
    5A
  • Capacité à Vr, F
    -

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Paiement
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SICRD6650TR

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SICH75-M

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SICW06A10-M30

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La description: SNAP-IN-CLIP

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RFQ
SICR101200

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La description: DIODE SCHOTTKY SILICON CARBIDE S

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RFQ
SICR10650CT

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SICR6650

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SICW04B08-VM30

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SICW04B08-C30

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La description: SNAP-IN-CLIP

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SICW04B08-M30

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SICRF10650

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La description: DIODE SCHOTTKY SILICON CARBIDE S

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RFQ
SICRB6650TR

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La description: DIODE SCHOTTKY SILICON CARBIDE S

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SICRB5650TR

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SICRF10650CT

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SICW06A10-C30

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SICRD5650TR

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SICH75-C

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SICRF6650

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SICR10650

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