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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Diodes - redresseurs - Single > 1N4006GHA0G
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26071361N4006GHA0G imageTSC (Taiwan Semiconductor)

1N4006GHA0G

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Spécifications
  • Modèle de produit
    1N4006GHA0G
  • Fabricant / marque
    Taiwan Semiconductor
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    1N4006GHA0G.pdf
  • Tension - directe (Vf) (max) @ Si
    1V @ 1A
  • Tension - inverse (Vr) (max)
    800V
  • Package composant fournisseur
    DO-204AL (DO-41)
  • La vitesse
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Séries
    Automotive, AEC-Q101
  • Emballage
    Tape & Box (TB)
  • Package / Boîte
    DO-204AL, DO-41, Axial
  • Température d'utilisation - Jonction
    -55°C ~ 150°C
  • Type de montage
    Through Hole
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Délai de livraison standard du fabricant
    12 Weeks
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Type de diode
    Standard
  • Description détaillée
    Diode Standard 800V 1A Through Hole DO-204AL (DO-41)
  • Courant - fuite, inverse à Vr
    5µA @ 800V
  • Courant - Rectifié moyenne (Io)
    1A
  • Capacité à Vr, F
    10pF @ 4V, 1MHz

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Expédition
Paiement
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1N4006G A0G

1N4006G A0G

La description: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL

Fabricant: TSC (Taiwan Semiconductor)
En stock
RFQ
1N4006G

1N4006G

La description: DIODE GEN PURP 800V 1A DO41

Fabricant: Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions
En stock
RFQ
1N4006GL-T

1N4006GL-T

La description: DIODE GEN PURP 800V 1A DO41

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
1N4006G-T

1N4006G-T

La description: DIODE GEN PURP 800V 1A DO41

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
1N4006GP

1N4006GP

La description: DIODE GEN PURP 800V 1A DO41

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
En stock
RFQ
1N4006GHR1G

1N4006GHR1G

La description: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL

Fabricant: TSC (Taiwan Semiconductor)
En stock
RFQ
1N4006G R0G

1N4006G R0G

La description: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL

Fabricant: TSC (Taiwan Semiconductor)
En stock
RFQ
1N4006GPE-M3/54

1N4006GPE-M3/54

La description: DIODE GEN PURPOSE DO-204AL

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
1N4006FF

1N4006FF

La description: DIODE GEN PURP 800V 1A DO41

Fabricant: ON Semiconductor
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RFQ
1N4006G R1G

1N4006G R1G

La description: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL

Fabricant: TSC (Taiwan Semiconductor)
En stock
RFQ
1N4006FFG

1N4006FFG

La description: DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
En stock
RFQ
1N4006G BK

1N4006G BK

La description: DIODE GEN PURPOSE DO41

Fabricant: Central Semiconductor
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RFQ
1N4006GHB0G

1N4006GHB0G

La description: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL

Fabricant: TSC (Taiwan Semiconductor)
En stock
RFQ
1N4006GP-M3/54

1N4006GP-M3/54

La description: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL

Fabricant: Vishay Semiconductor Diodes Division
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RFQ
1N4006G

1N4006G

La description: DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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RFQ
1N4006GP-E3/54

1N4006GP-E3/54

La description: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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RFQ
1N4006GP-E3/73

1N4006GP-E3/73

La description: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
1N4006G B0G

1N4006G B0G

La description: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL

Fabricant: TSC (Taiwan Semiconductor)
En stock
RFQ
1N4006GP-M3/73

1N4006GP-M3/73

La description: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
1N4006GHR0G

1N4006GHR0G

La description: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL

Fabricant: TSC (Taiwan Semiconductor)
En stock
RFQ
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