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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Diodes - redresseurs - Single > 1N4006FF
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44722321N4006FF imageON Semiconductor

1N4006FF

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Spécifications
  • Modèle de produit
    1N4006FF
  • Fabricant / marque
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    DIODE GEN PURP 800V 1A DO41
  • État sans plomb / État RoHS
    Contient du plomb / Non conforme à RoHS
  • Livret des spécifications
  • Modèle ECAD
  • Tension - Inverse de crête (max)
    Standard
  • Tension - directe (Vf) (max) @ Si
    1A
  • Tension - Ventilation
    DO-41
  • Séries
    -
  • État RoHS
    Tape & Reel (TR)
  • Temps de recouvrement inverse (trr)
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Résistance @ Si, F
    -
  • Polarisation
    DO-204AL, DO-41, Axial
  • Type de montage
    Through Hole
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Référence fabricant
    1N4006FF
  • Description élargie
    Diode Standard 800V 1A Through Hole DO-41
  • Configuration diode
    10µA @ 800V
  • La description
    DIODE GEN PURP 800V 1A DO41
  • Courant - fuite, inverse à Vr
    1.1V @ 1A
  • Courant - Moyen redressé (Io) (par diode)
    800V
  • Capacité à Vr, F
    -65°C ~ 175°C
1N4006G R0G

1N4006G R0G

La description: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL

Fabricant: TSC (Taiwan Semiconductor)
En stock
1N4006-N-2-2-BP

1N4006-N-2-2-BP

La description: DIODE GEN PURP 800V 1A DO-41

Fabricant: Micro Commercial Components (MCC)
En stock
1N4006-N-2-1-BP

1N4006-N-2-1-BP

La description: DIODE GEN PURP 800V 1A DO-41

Fabricant: Micro Commercial Components (MCC)
En stock
1N4006G B0G

1N4006G B0G

La description: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL

Fabricant: TSC (Taiwan Semiconductor)
En stock
1N4006E-E3/54

1N4006E-E3/54

La description: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
1N4006G BK

1N4006G BK

La description: DIODE GEN PURPOSE DO41

Fabricant: Central Semiconductor
En stock
1N4006-TP

1N4006-TP

La description: DIODE GEN PURP 800V 1A DO41

Fabricant: Micro Commercial Components (MCC)
En stock
1N4006G-T

1N4006G-T

La description: DIODE GEN PURP 800V 1A DO41

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
1N4006-N-2-3-AP

1N4006-N-2-3-AP

La description: DIODE GEN PURP 800V 1A DO-41

Fabricant: Micro Commercial Components (MCC)
En stock
1N4006E-E3/73

1N4006E-E3/73

La description: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
1N4006-T

1N4006-T

La description: DIODE GEN PURP 800V 1A DO41

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
1N4006G A0G

1N4006G A0G

La description: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL

Fabricant: TSC (Taiwan Semiconductor)
En stock
1N4006/54

1N4006/54

La description: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
1N4006GHA0G

1N4006GHA0G

La description: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL

Fabricant: TSC (Taiwan Semiconductor)
En stock
1N4006B-G

1N4006B-G

La description: DIODE GEN PURP 800V 1A DO41

Fabricant: Comchip Technology
En stock
1N4006G

1N4006G

La description: DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
En stock
1N4006G

1N4006G

La description: DIODE GEN PURP 800V 1A DO41

Fabricant: Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions
En stock
1N4006FFG

1N4006FFG

La description: DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
En stock
1N4006-N-2-4-AP

1N4006-N-2-4-AP

La description: DIODE GEN PURP 800V 1A DO-41

Fabricant: Micro Commercial Components (MCC)
En stock
1N4006G R1G

1N4006G R1G

La description: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL

Fabricant: TSC (Taiwan Semiconductor)
En stock

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