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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Diodes - redresseurs - Single > ES3DBHR5G
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1300865ES3DBHR5G imageTSC (Taiwan Semiconductor)

ES3DBHR5G

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Spécifications
  • Modèle de produit
    ES3DBHR5G
  • Fabricant / marque
    Taiwan Semiconductor
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AA
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    ES3DBHR5G.pdf
  • Tension - directe (Vf) (max) @ Si
    1V @ 3A
  • Tension - inverse (Vr) (max)
    200V
  • Package composant fournisseur
    DO-214AA (SMB)
  • La vitesse
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Séries
    -
  • Temps de recouvrement inverse (trr)
    35ns
  • Emballage
    Cut Tape (CT)
  • Package / Boîte
    DO-214AA, SMB
  • Autres noms
    ES3DBHR5GCT
  • Température d'utilisation - Jonction
    -55°C ~ 150°C
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Délai de livraison standard du fabricant
    20 Weeks
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Type de diode
    Standard
  • Description détaillée
    Diode Standard 200V 3A Surface Mount DO-214AA (SMB)
  • Courant - fuite, inverse à Vr
    100µA @ 200V
  • Courant - Rectifié moyenne (Io)
    3A
  • Capacité à Vr, F
    46pF @ 4V, 1MHz

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Expédition
Paiement
Ce qui suit est des produits liés à "ES3DBHR5G".
ES3DB M4G

ES3DB M4G

La description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AA

Fabricant: TSC (Taiwan Semiconductor)
En stock
RFQ
ES3DB-13

ES3DB-13

La description: DIODE GEN PURP 200V 3A SMB

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
ES3DBHM4G

ES3DBHM4G

La description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AA

Fabricant: TSC (Taiwan Semiconductor)
En stock
RFQ
ES3DHE3/57T

ES3DHE3/57T

La description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
ES3DHR7G

ES3DHR7G

La description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Fabricant: TSC (Taiwan Semiconductor)
En stock
RFQ
ES3D-E3/9AT

ES3D-E3/9AT

La description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
ES3DB R5G

ES3DB R5G

La description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AA

Fabricant: TSC (Taiwan Semiconductor)
En stock
RFQ
ES3DHE3_A/I

ES3DHE3_A/I

La description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
ES3DB-13-F

ES3DB-13-F

La description: DIODE GEN PURP 200V 3A SMB

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
ES3DV M6G

ES3DV M6G

La description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Fabricant: TSC (Taiwan Semiconductor)
En stock
RFQ
ES3D/7T

ES3D/7T

La description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
ES3D-M3/9AT

ES3D-M3/9AT

La description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
ES3DHE3_A/H

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La description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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RFQ
ES3DPX

ES3DPX

La description: DIODE GEN PURP 200V 3A CFP5

Fabricant: Nexperia
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RFQ
ES3D-E3/57T

ES3D-E3/57T

La description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
ES3D-M3/57T

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La description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
ES3DHM6G

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La description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Fabricant: TSC (Taiwan Semiconductor)
En stock
RFQ
ES3DHE3J_A/I

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La description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
ES3DV R7G

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La description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Fabricant: TSC (Taiwan Semiconductor)
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RFQ
ES3DHE3/9AT

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La description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
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