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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Diodes - redresseurs - Single > ES3DV M6G
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1185199ES3DV M6G imageTSC (Taiwan Semiconductor)

ES3DV M6G

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Spécifications
  • Modèle de produit
    ES3DV M6G
  • Fabricant / marque
    Taiwan Semiconductor
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    ES3DV M6G.pdf
  • Modèle ECAD
  • Tension - directe (Vf) (max) @ Si
    900mV @ 3A
  • Tension - inverse (Vr) (max)
    200V
  • Package composant fournisseur
    DO-214AB (SMC)
  • La vitesse
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Séries
    -
  • Temps de recouvrement inverse (trr)
    20ns
  • Emballage
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Boîte
    DO-214AB, SMC
  • Autres noms
    ES3DV M6G-ND
    ES3DVM6G
  • Température d'utilisation - Jonction
    -55°C ~ 150°C
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Type de diode
    Standard
  • Description détaillée
    Diode Standard 200V 3A Surface Mount DO-214AB (SMC)
  • Courant - fuite, inverse à Vr
    10µA @ 200V
  • Courant - Rectifié moyenne (Io)
    3A
  • Capacité à Vr, F
    45pF @ 4V, 1MHz

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Expédition
Paiement
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ES3DHE3_A/H

ES3DHE3_A/H

La description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
ES3DHR7G

ES3DHR7G

La description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Fabricant: TSC (Taiwan Semiconductor)
En stock
RFQ
ES3DVHR7G

ES3DVHR7G

La description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Fabricant: TSC (Taiwan Semiconductor)
En stock
RFQ
ES3DV R7G

ES3DV R7G

La description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Fabricant: TSC (Taiwan Semiconductor)
En stock
RFQ
ES3DV V7G

ES3DV V7G

La description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Fabricant: TSC (Taiwan Semiconductor)
En stock
RFQ
ES3DHE3_A/I

ES3DHE3_A/I

La description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
ES3DPX

ES3DPX

La description: DIODE GEN PURP 200V 3A CFP5

Fabricant: Nexperia
En stock
RFQ
ES3DV V6G

ES3DV V6G

La description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Fabricant: TSC (Taiwan Semiconductor)
En stock
RFQ
ES3DBHR5G

ES3DBHR5G

La description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AA

Fabricant: TSC (Taiwan Semiconductor)
En stock
RFQ
ES3F R7G

ES3F R7G

La description: DIODE GEN PURP 300V 3A DO214AB

Fabricant: TSC (Taiwan Semiconductor)
En stock
RFQ
ES3DVHM6G

ES3DVHM6G

La description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Fabricant: TSC (Taiwan Semiconductor)
En stock
RFQ
ES3DHM6G

ES3DHM6G

La description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Fabricant: TSC (Taiwan Semiconductor)
En stock
RFQ
ES3DHE3/9AT

ES3DHE3/9AT

La description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
ES3F-E3/57T

ES3F-E3/57T

La description: DIODE GEN PURP 300V 3A DO214AB

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
ES3F V7G

ES3F V7G

La description: DIODE GEN PURP 300V 3A DO214AB

Fabricant: TSC (Taiwan Semiconductor)
En stock
RFQ
ES3DHE3/57T

ES3DHE3/57T

La description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
ES3F V6G

ES3F V6G

La description: DIODE GEN PURP 300V 3A DO214AB

Fabricant: TSC (Taiwan Semiconductor)
En stock
RFQ
ES3F M6G

ES3F M6G

La description: DIODE GEN PURP 300V 3A DO214AB

Fabricant: TSC (Taiwan Semiconductor)
En stock
RFQ
ES3DBHM4G

ES3DBHM4G

La description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AA

Fabricant: TSC (Taiwan Semiconductor)
En stock
RFQ
ES3DHE3J_A/I

ES3DHE3J_A/I

La description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
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