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4508653GPA806HC0G imageTSC (Taiwan Semiconductor)

GPA806HC0G

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Spécifications
  • Modèle de produit
    GPA806HC0G
  • Fabricant / marque
    Taiwan Semiconductor
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    DIODE GEN PURP 800V 8A TO220AC
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    GPA806HC0G.pdf
  • Tension - directe (Vf) (max) @ Si
    1.1V @ 8A
  • Tension - inverse (Vr) (max)
    800V
  • Package composant fournisseur
    TO-220AC
  • La vitesse
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Séries
    Automotive, AEC-Q101
  • Emballage
    Tube
  • Package / Boîte
    TO-220-2
  • Température d'utilisation - Jonction
    -55°C ~ 150°C
  • Type de montage
    Through Hole
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Délai de livraison standard du fabricant
    12 Weeks
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Type de diode
    Standard
  • Description détaillée
    Diode Standard 800V 8A Through Hole TO-220AC
  • Courant - fuite, inverse à Vr
    5µA @ 800V
  • Courant - Rectifié moyenne (Io)
    8A
  • Capacité à Vr, F
    50pF @ 4V, 1MHz

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Paiement
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GPA804HC0G

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GPA805DT-TP

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GPAS1005 MNG

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Fabricant: TSC (Taiwan Semiconductor)
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Fabricant: TSC (Taiwan Semiconductor)
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GPA807 C0G

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Fabricant: TSC (Taiwan Semiconductor)
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