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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Diodes - redresseurs - Single > HS5J V6G
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2775550HS5J V6G imageTSC (Taiwan Semiconductor)

HS5J V6G

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Spécifications
  • Modèle de produit
    HS5J V6G
  • Fabricant / marque
    Taiwan Semiconductor
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    DIODE GEN PURP 600V 5A DO214AB
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    HS5J V6G.pdf
  • Tension - inverse (Vr) (max)
    600V
  • Package composant fournisseur
    DO-214AB (SMC)
  • La vitesse
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Séries
    -
  • Temps de recouvrement inverse (trr)
    75ns
  • Package / Boîte
    DO-214AB, SMC
  • Autres noms
    HS5J V6G-ND
    HS5JV6G
  • Température d'utilisation - Jonction
    -55°C ~ 150°C
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Délai de livraison standard du fabricant
    8 Weeks
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Type de diode
    Standard
  • Description détaillée
    Diode Standard 600V 5A Surface Mount DO-214AB (SMC)
  • Courant - fuite, inverse à Vr
    10µA @ 600V
  • Courant - Rectifié moyenne (Io)
    5A
  • Capacité à Vr, F
    50pF @ 4V, 1MHz

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Expédition
Paiement
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HS5M V6G

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La description: DIODE GEN PURP 5A DO214AB

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