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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Diodes - redresseurs - Single > RS1BL M2G
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2513381RS1BL M2G imageTSC (Taiwan Semiconductor)

RS1BL M2G

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Spécifications
  • Modèle de produit
    RS1BL M2G
  • Fabricant / marque
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    DIODE GEN PURP 100V 800MA SUBSMA
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
  • Tension - directe (Vf) (max) @ Si
    1.3V @ 800mA
  • Tension - inverse (Vr) (max)
    100V
  • Package composant fournisseur
    Sub SMA
  • La vitesse
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Séries
    -
  • Temps de recouvrement inverse (trr)
    150ns
  • Emballage
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Boîte
    DO-219AB
  • Autres noms
    RS1BL M2G-ND
    RS1BLM2G
  • Température d'utilisation - Jonction
    -55°C ~ 150°C
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Délai de livraison standard du fabricant
    21 Weeks
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Type de diode
    Standard
  • Description détaillée
    Diode Standard 100V 800mA Surface Mount Sub SMA
  • Courant - fuite, inverse à Vr
    5µA @ 100V
  • Courant - Rectifié moyenne (Io)
    800mA
  • Capacité à Vr, F
    10pF @ 4V, 1MHz
RS1BL RQG

RS1BL RQG

La description: DIODE GEN PURP 100V 800MA SUBSMA

Fabricant: TSC (Taiwan Semiconductor)
En stock
RS1BFA

RS1BFA

La description: DIODE GP 100V 800MA SOD123FA

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
En stock
RS1B/11

RS1B/11

La description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RS1BL RHG

RS1BL RHG

La description: DIODE GEN PURP 100V 800MA SUBSMA

Fabricant: TSC (Taiwan Semiconductor)
En stock
RS1BHE3_A/I

RS1BHE3_A/I

La description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RS1BL RVG

RS1BL RVG

La description: DIODE GEN PURP 100V 800MA SUBSMA

Fabricant: TSC (Taiwan Semiconductor)
En stock
RS1BHE3_A/H

RS1BHE3_A/H

La description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RS1BL MHG

RS1BL MHG

La description: DIODE GEN PURP 100V 800MA SUBSMA

Fabricant: TSC (Taiwan Semiconductor)
En stock
RS1BHE3/61T

RS1BHE3/61T

La description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RS1BB-13

RS1BB-13

La description: DIODE GEN PURP 100V 1A SMB

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RS1BL RTG

RS1BL RTG

La description: DIODE GEN PURP 100V 800MA SUBSMA

Fabricant: TSC (Taiwan Semiconductor)
En stock
RS1BL MTG

RS1BL MTG

La description: DIODE GEN PURP 100V 800MA SUBSMA

Fabricant: TSC (Taiwan Semiconductor)
En stock
RS1BHR3G

RS1BHR3G

La description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Fabricant: TSC (Taiwan Semiconductor)
En stock
RS1BL RUG

RS1BL RUG

La description: DIODE GEN PURP 100V 800MA SUBSMA

Fabricant: TSC (Taiwan Semiconductor)
En stock
RS1BL R3G

RS1BL R3G

La description: DIODE GEN PURP 100V 800MA SUBSMA

Fabricant: TSC (Taiwan Semiconductor)
En stock
RS1BL RFG

RS1BL RFG

La description: DIODE GEN PURP 100V 800MA SUBSMA

Fabricant: TSC (Taiwan Semiconductor)
En stock
RS1BL MQG

RS1BL MQG

La description: DIODE GEN PURP 100V 800MA SUBSMA

Fabricant: TSC (Taiwan Semiconductor)
En stock
RS1BHM2G

RS1BHM2G

La description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Fabricant: TSC (Taiwan Semiconductor)
En stock
RS1BHE3/5AT

RS1BHE3/5AT

La description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RS1BB-13-F

RS1BB-13-F

La description: DIODE GEN PURP 100V 1A SMB

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock

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