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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Diodes - redresseurs - Single > RS1JL R3G
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4247069RS1JL R3G imageTSC (Taiwan Semiconductor)

RS1JL R3G

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Spécifications
  • Modèle de produit
    RS1JL R3G
  • Fabricant / marque
    Taiwan Semiconductor
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    RS1JL R3G.pdf
  • Modèle ECAD
  • Tension - directe (Vf) (max) @ Si
    1.3V @ 800mA
  • Tension - inverse (Vr) (max)
    600V
  • Package composant fournisseur
    Sub SMA
  • La vitesse
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Séries
    -
  • Temps de recouvrement inverse (trr)
    250ns
  • Emballage
    Cut Tape (CT)
  • Package / Boîte
    DO-219AB
  • Autres noms
    RS1JL R3GCT
    RS1JL R3GCT-ND
    RS1JLR3GCT
  • Température d'utilisation - Jonction
    -55°C ~ 150°C
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Délai de livraison standard du fabricant
    25 Weeks
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Type de diode
    Standard
  • Description détaillée
    Diode Standard 600V 800mA Surface Mount Sub SMA
  • Courant - fuite, inverse à Vr
    5µA @ 600V
  • Courant - Rectifié moyenne (Io)
    800mA
  • Capacité à Vr, F
    10pF @ 4V, 1MHz

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Expédition
Paiement
Ce qui suit est des produits liés à "RS1JL R3G".
RS1JHE3_A/H

RS1JHE3_A/H

La description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
RS1JL RTG

RS1JL RTG

La description: DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA

Fabricant: TSC (Taiwan Semiconductor)
En stock
RFQ
RS1JHE3/61T

RS1JHE3/61T

La description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
RS1JLHM2G

RS1JLHM2G

La description: DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA

Fabricant: TSC (Taiwan Semiconductor)
En stock
RFQ
RS1JHE3/5AT

RS1JHE3/5AT

La description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
RS1JL RQG

RS1JL RQG

La description: DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA

Fabricant: TSC (Taiwan Semiconductor)
En stock
RFQ
RS1JL RVG

RS1JL RVG

La description: DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA

Fabricant: TSC (Taiwan Semiconductor)
En stock
RFQ
RS1JL MHG

RS1JL MHG

La description: DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA

Fabricant: TSC (Taiwan Semiconductor)
En stock
RFQ
RS1JHM2G

RS1JHM2G

La description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Fabricant: TSC (Taiwan Semiconductor)
En stock
RFQ
RS1JL MQG

RS1JL MQG

La description: DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA

Fabricant: TSC (Taiwan Semiconductor)
En stock
RFQ
RS1JHE3_A/I

RS1JHE3_A/I

La description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
RS1JL RHG

RS1JL RHG

La description: DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA

Fabricant: TSC (Taiwan Semiconductor)
En stock
RFQ
RS1JLHMTG

RS1JLHMTG

La description: DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA

Fabricant: TSC (Taiwan Semiconductor)
En stock
RFQ
RS1JLHMQG

RS1JLHMQG

La description: DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA

Fabricant: TSC (Taiwan Semiconductor)
En stock
RFQ
RS1JHR3G

RS1JHR3G

La description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Fabricant: TSC (Taiwan Semiconductor)
En stock
RFQ
RS1JL MTG

RS1JL MTG

La description: DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA

Fabricant: TSC (Taiwan Semiconductor)
En stock
RFQ
RS1JL M2G

RS1JL M2G

La description: DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA

Fabricant: TSC (Taiwan Semiconductor)
En stock
RFQ
RS1JLHMHG

RS1JLHMHG

La description: DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA

Fabricant: TSC (Taiwan Semiconductor)
En stock
RFQ
RS1JL RUG

RS1JL RUG

La description: DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA

Fabricant: TSC (Taiwan Semiconductor)
En stock
RFQ
RS1JL RFG

RS1JL RFG

La description: DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA

Fabricant: TSC (Taiwan Semiconductor)
En stock
RFQ
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