S4J M6G

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Spécifications

Modèle de produit

S4J M6G
Fabricant / marque

Taiwan Semiconductor
Quantité en stock

En stock
La description

DIODE GEN PURP 600V 4A DO214AB
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

S4J M6G.pdf
Modèle ECAD
Tension - directe (Vf) (max) @ Si

1.15V @ 4A
Tension - inverse (Vr) (max)

600V
Package composant fournisseur

DO-214AB (SMC)
La vitesse

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Séries

-
Temps de recouvrement inverse (trr)

1.5µs
Emballage

Tape & Reel (TR)
Package / Boîte

DO-214AB, SMC
Autres noms

S4J M6G-ND
S4JM6G
Température d'utilisation - Jonction

-55°C ~ 150°C
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Type de diode

Standard
Description détaillée

Diode Standard 600V 4A Surface Mount DO-214AB (SMC)
Courant - fuite, inverse à Vr

100µA @ 600V
Courant - Rectifié moyenne (Io)

4A
Capacité à Vr, F

60pF @ 4V, 1MHz

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Ce qui suit est des produits liés à "S4J M6G".

RB751G-40T2R

La description:

Fabricant: LAPIS Semiconductor

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