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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Diodes - redresseurs - Single > JAN1N5621
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JAN1N5621

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Spécifications
  • Modèle de produit
    JAN1N5621
  • Fabricant / marque
    Microsemi
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL
  • État sans plomb / État RoHS
    Contient du plomb / Non conforme à RoHS
  • Livret des spécifications
    JAN1N5621.pdf
  • Modèle ECAD
  • Tension - Inverse de crête (max)
    Standard
  • Tension - directe (Vf) (max) @ Si
    1A
  • Séries
    Military, MIL-PRF-19500/429
  • État RoHS
    Bulk
  • Temps de recouvrement inverse (trr)
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Résistance @ Si, F
    -
  • Polarisation
    A, Axial
  • Autres noms
    1086-2112
    1086-2112-MIL
  • Température d'utilisation - Jonction
    300ns
  • Type de montage
    Through Hole
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Délai de livraison standard du fabricant
    8 Weeks
  • Référence fabricant
    JAN1N5621
  • Description élargie
    Diode Standard 800V 1A Through Hole
  • Configuration diode
    500nA @ 800V
  • La description
    DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL
  • Courant - fuite, inverse à Vr
    1.6V @ 3A
  • Courant - Moyen redressé (Io) (par diode)
    800V
  • Capacité à Vr, F
    -65°C ~ 175°C

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JAN1N5616

JAN1N5616

La description: DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
JAN1N5619

JAN1N5619

La description: DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
JAN1N5617US

JAN1N5617US

La description: DIODE GEN PURP 400V 1A D5A

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
JAN1N5632A

JAN1N5632A

La description: TVS DIODE 7.78V 13.4V DO13

Fabricant: Microsemi
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RFQ
JAN1N5621US

JAN1N5621US

La description: DIODE GEN PURP 800V 1A D5A

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
JAN1N5629A

JAN1N5629A

La description: TVS DIODE 5.8V 10.5V DO13

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
JAN1N5639A

JAN1N5639A

La description: TVS DIODE 15.3V 25.2V DO13

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
JAN1N5635A

JAN1N5635A

La description: TVS DIODE 10.2V 16.7V DO13

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
JAN1N5622US

JAN1N5622US

La description: DIODE GEN PURP 1KV 1A D5A

Fabricant: Microsemi
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RFQ
JAN1N5620

JAN1N5620

La description: DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL

Fabricant: Microsemi Corporation
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RFQ
JAN1N5617

JAN1N5617

La description: DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL

Fabricant: Microsemi
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JAN1N5618

JAN1N5618

La description: DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL

Fabricant: Microsemi Corporation
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RFQ
JAN1N5616US

JAN1N5616US

La description: DIODE GEN PURP 400V 1A D5A

Fabricant: Microsemi
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RFQ
JAN1N5623US

JAN1N5623US

La description: DIODE GEN PURP 1KV 1A D5A

Fabricant: Microsemi
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RFQ
JAN1N5619US

JAN1N5619US

La description: DIODE GEN PURP 600V 1A D5A

Fabricant: Microsemi
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RFQ
JAN1N5622

JAN1N5622

La description: DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL

Fabricant: Microsemi
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RFQ
JAN1N5623

JAN1N5623

La description: DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL

Fabricant: Microsemi
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RFQ
JAN1N5618US

JAN1N5618US

La description: DIODE GEN PURP 600V 1A D5A

Fabricant: Microsemi
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RFQ
JAN1N5637A

JAN1N5637A

La description: TVS DIODE 12.8V 21.2V DO13

Fabricant: Microsemi
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JAN1N5620US

JAN1N5620US

La description: DIODE GEN PURP 800V 1A D5A

Fabricant: Microsemi
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