JAN1N5621

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Spécifications

Modèle de produit

JAN1N5621
Fabricant / marque

Microsemi
Quantité en stock

En stock
La description

DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL
État sans plomb / État RoHS

Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Livret des spécifications

JAN1N5621.pdf
Modèle ECAD
Tension - Inverse de crête (max)

Standard
Tension - directe (Vf) (max) @ Si

1A
Séries

Military, MIL-PRF-19500/429
État RoHS

Bulk
Temps de recouvrement inverse (trr)

Fast Recovery = 200mA (Io)
Résistance @ Si, F

-
Polarisation

A, Axial
Autres noms

1086-2112
1086-2112-MIL
Température d'utilisation - Jonction

300ns
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

8 Weeks
Référence fabricant

JAN1N5621
Description élargie

Diode Standard 800V 1A Through Hole
Configuration diode

500nA @ 800V
La description

DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL
Courant - fuite, inverse à Vr

1.6V @ 3A
Courant - Moyen redressé (Io) (par diode)

800V
Capacité à Vr, F

-65°C ~ 175°C

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JAN1N5616

La description: DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL

Fabricant: Microsemi

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