TSM4435BCS RLG

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Spécifications

Modèle de produit

TSM4435BCS RLG
Fabricant / marque

Taiwan Semiconductor
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET P-CHANNEL 30V 9.1A 8SOP
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

TSM4435BCS RLG.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

8-SOP
Séries

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

21 mOhm @ 9.1A, 10V
Dissipation de puissance (max)

2.5W (Ta)
Emballage

Cut Tape (CT)
Package / Boîte

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Autres noms

TSM4435BCS RLGCT
TSM4435BCS RLGCT-ND
TSM4435BCSRLGCT
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

3 (168 Hours)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

1900pF @ 15V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

3.2nC @ 10V
type de FET

P-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss)

30V
Description détaillée

P-Channel 30V 9.1A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOP
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

9.1A (Ta)

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livraison
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Ce qui suit est des produits liés à "TSM4435BCS RLG".

TSM480P06CH X0G

La description: MOSFET P-CHANNEL 60V 20A TO251

Fabricant: TSC (Taiwan Semiconductor)

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TSM4435BCS RLG

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