TSM4800N15CX6 RFG

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Spécifications

Modèle de produit

TSM4800N15CX6 RFG
Fabricant / marque

Taiwan Semiconductor
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CH 150V 1.4A SOT26
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

TSM4800N15CX6 RFG.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

SOT-26
Séries

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

480 mOhm @ 1.1A, 10V
Dissipation de puissance (max)

2.1W (Tc)
Emballage

Cut Tape (CT)
Package / Boîte

SOT-23-6
Autres noms

TSM4800N15CX6 RFGCT
TSM4800N15CX6 RFGCT-ND
TSM4800N15CX6RFGCT
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

14 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

332pF @ 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

8nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

6V, 10V
Tension drain-source (Vdss)

150V
Description détaillée

N-Channel 150V 1.4A (Tc) 2.1W (Tc) Surface Mount SOT-26
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

1.4A (Tc)

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Ce qui suit est des produits liés à "TSM4800N15CX6 RFG".

TSM4D887M010AH6410D493

La description: CAP TANT 880UF 10V 20% SMD

Fabricant: KEMET

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