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Accueil > Centre des produits > Circuits intégrés (ci) > Mémoire > TC58CYG0S3HQAIE
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5920913TC58CYG0S3HQAIE imageToshiba Memory America, Inc.

TC58CYG0S3HQAIE

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Spécifications
  • Modèle de produit
    TC58CYG0S3HQAIE
  • Fabricant / marque
    Kioxia America, Inc.
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    IC FLASH 1G SPI 104MHZ 16SOP
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    TC58CYG0S3HQAIE.pdf
  • Écrire le temps de cycle - Word, Page
    -
  • Tension - Alimentation
    1.7 V ~ 1.95 V
  • La technologie
    FLASH - NAND (SLC)
  • Package composant fournisseur
    16-SOP
  • Séries
    -
  • Emballage
    Tray
  • Package / Boîte
    16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
  • Autres noms
    TC58CYG0S3HQAIEY0J
    TC58CYG0S3HQAIEYCJ
  • Température de fonctionnement
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Type de mémoire
    Non-Volatile
  • Taille mémoire
    1Gb (128M x 8)
  • Interface mémoire
    SPI
  • Format de mémoire
    FLASH
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Description détaillée
    FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gb (128M x 8) SPI 104MHz 155µs 16-SOP
  • Fréquence d'horloge
    104MHz
  • Temps d'accès
    155µs

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Expédition
Paiement
Ce qui suit est des produits liés à "TC58CYG0S3HQAIE".
TC58BYG2S0HBAI6

TC58BYG2S0HBAI6

La description: IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA

Fabricant: Toshiba Memory America, Inc.
En stock
RFQ
TC58CYG2S0HRAIG

TC58CYG2S0HRAIG

La description: 4GB SERIAL NAND 24NM WSON 1.8V

Fabricant: Toshiba Memory America, Inc.
En stock
RFQ
TC58NVG0S3HTAI0

TC58NVG0S3HTAI0

La description: IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP I

Fabricant: Toshiba Memory America, Inc.
En stock
RFQ
TC58BYG1S3HBAI6

TC58BYG1S3HBAI6

La description: IC FLASH 2G PARALLEL 67VFBGA

Fabricant: Toshiba Memory America, Inc.
En stock
RFQ
TC58BYG1S3HBAI4

TC58BYG1S3HBAI4

La description: 2GB SLC NAND BGA 24NM I TEMP (EE

Fabricant: Toshiba Memory America, Inc.
En stock
RFQ
TC58BYG0S3HBAI6

TC58BYG0S3HBAI6

La description: IC FLASH 1G PARALLEL 67VFBGA

Fabricant: Toshiba Memory America, Inc.
En stock
RFQ
TC58NVG1S3HBAI4

TC58NVG1S3HBAI4

La description: IC FLASH 2G PARALLEL 63TFBGA

Fabricant: Toshiba Memory America, Inc.
En stock
RFQ
TC58CVG0S3HQAIE

TC58CVG0S3HQAIE

La description: IC FLASH 1G SPI 104MHZ 16SOP

Fabricant: Toshiba Memory America, Inc.
En stock
RFQ
TC58BYG0S3HBAI4

TC58BYG0S3HBAI4

La description: 1GB SLC NAND BGA 24NM I TEMP (EE

Fabricant: Toshiba Memory America, Inc.
En stock
RFQ
TC58NVG0S3HBAI6

TC58NVG0S3HBAI6

La description: IC FLASH 1G PARALLEL 67VFBGA

Fabricant: Toshiba Memory America, Inc.
En stock
RFQ
TC58CYG0S3HRAIG

TC58CYG0S3HRAIG

La description: 1GB SERIAL NAND 24NM WSON 1.8V

Fabricant: Toshiba Memory America, Inc.
En stock
RFQ
TC58CVG2S0HRAIG

TC58CVG2S0HRAIG

La description: IC FLASH 4G SPI 104MHZ 8WSON

Fabricant: Toshiba Memory America, Inc.
En stock
RFQ
TC58CVG0S3HRAIG

TC58CVG0S3HRAIG

La description: IC FLASH 1G SPI 104MHZ 8WSON

Fabricant: Toshiba Memory America, Inc.
En stock
RFQ
TC58CVG1S3HRAIG

TC58CVG1S3HRAIG

La description: 2GB SERIAL NAND 24NM WSON 3.3V

Fabricant: Toshiba Memory America, Inc.
En stock
RFQ
TC58NVG0S3HBAI4

TC58NVG0S3HBAI4

La description: IC FLASH 1G PARALLEL 63TFBGA

Fabricant: Toshiba Memory America, Inc.
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RFQ
TC58NVG1S3ETAI0

TC58NVG1S3ETAI0

La description: IC FLASH 2G PARALLEL 48TSOP I

Fabricant: Toshiba Memory America, Inc.
En stock
RFQ
TC58NVG1S3ETA00

TC58NVG1S3ETA00

La description: IC FLASH 2G PARALLEL 48TSOP I

Fabricant: Toshiba Memory America, Inc.
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RFQ
TC58CYG1S3HRAIG

TC58CYG1S3HRAIG

La description: 2GB SERIAL NAND 24NM WSON 1.8V

Fabricant: Toshiba Memory America, Inc.
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RFQ
TC58NVG0S3HTA00

TC58NVG0S3HTA00

La description: IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP I

Fabricant: Toshiba Memory America, Inc.
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RFQ
TC58CVG2S0HQAIE

TC58CVG2S0HQAIE

La description: IC FLASH 4G SPI 104MHZ 16SOP

Fabricant: Toshiba Memory America, Inc.
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