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Accueil > Centre des produits > Circuits intégrés (CI) > Mémoire > TC58BYG1S3HBAI6
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914723TC58BYG1S3HBAI6 imageToshiba Memory America, Inc.

TC58BYG1S3HBAI6

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$2.997
1014+
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Spécifications
  • Modèle de produit
    TC58BYG1S3HBAI6
  • Fabricant / marque
    Kioxia America, Inc.
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    IC FLASH 2G PARALLEL 67VFBGA
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    TC58BYG1S3HBAI6.pdf
  • Écrire le temps de cycle - Word, Page
    25ns
  • Tension - Alimentation
    1.7 V ~ 1.95 V
  • La technologie
    FLASH - NAND (SLC)
  • Package composant fournisseur
    67-VFBGA (6.5x8)
  • Séries
    Benand™
  • Emballage
    Tray
  • Package / Boîte
    67-VFBGA
  • Autres noms
    TC58BYG1S3HBAI6JDH
    TC58BYG1S3HBAI6YCL
  • Température de fonctionnement
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Type de mémoire
    Non-Volatile
  • Taille mémoire
    2Gb (256M x 8)
  • Interface mémoire
    Parallel
  • Format de mémoire
    FLASH
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Description détaillée
    FLASH - NAND (SLC) Memory IC 2Gb (256M x 8) Parallel 25ns 67-VFBGA (6.5x8)
  • Temps d'accès
    25ns

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Expédition
Paiement
Ce qui suit est des produits liés à "TC58BYG1S3HBAI6".
TC58BVG2S0HTAI0

TC58BVG2S0HTAI0

La description: IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I

Fabricant: Toshiba Memory America, Inc.
En stock
RFQ
TC58CVG1S3HRAIG

TC58CVG1S3HRAIG

La description: 2GB SERIAL NAND 24NM WSON 3.3V

Fabricant: Toshiba Memory America, Inc.
En stock
RFQ
TC58BVG2S0HBAI4

TC58BVG2S0HBAI4

La description: IC FLASH 4G PARALLEL 63TFBGA

Fabricant: Toshiba Memory America, Inc.
En stock
RFQ
TC58CYG2S0HRAIG

TC58CYG2S0HRAIG

La description: 4GB SERIAL NAND 24NM WSON 1.8V

Fabricant: Toshiba Memory America, Inc.
En stock
RFQ
TC58BVG2S0HTA00

TC58BVG2S0HTA00

La description: IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I

Fabricant: Toshiba Memory America, Inc.
En stock
RFQ
TC58CYG0S3HRAIG

TC58CYG0S3HRAIG

La description: 1GB SERIAL NAND 24NM WSON 1.8V

Fabricant: Toshiba Memory America, Inc.
En stock
RFQ
TC58BVG1S3HTAI0

TC58BVG1S3HTAI0

La description: IC FLASH 2G PARALLEL 48TSOP I

Fabricant: Toshiba Memory America, Inc.
En stock
RFQ
TC58BYG1S3HBAI4

TC58BYG1S3HBAI4

La description: 2GB SLC NAND BGA 24NM I TEMP (EE

Fabricant: Toshiba Memory America, Inc.
En stock
RFQ
TC58CVG2S0HRAIG

TC58CVG2S0HRAIG

La description: IC FLASH 4G SPI 104MHZ 8WSON

Fabricant: Toshiba Memory America, Inc.
En stock
RFQ
TC58BYG2S0HBAI6

TC58BYG2S0HBAI6

La description: IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA

Fabricant: Toshiba Memory America, Inc.
En stock
RFQ
TC58BYG0S3HBAI4

TC58BYG0S3HBAI4

La description: 1GB SLC NAND BGA 24NM I TEMP (EE

Fabricant: Toshiba Memory America, Inc.
En stock
RFQ
TC58BVG1S3HTA00

TC58BVG1S3HTA00

La description: IC FLASH 2G PARALLEL 48TSOP I

Fabricant: Toshiba Memory America, Inc.
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RFQ
TC58BVG1S3HBAI4

TC58BVG1S3HBAI4

La description: 2GB SLC BENAND 24NM BGA 9X11 (EE

Fabricant: Toshiba Memory America, Inc.
En stock
RFQ
TC58BVG1S3HBAI6

TC58BVG1S3HBAI6

La description: IC FLASH 2G PARALLEL 67VFBGA

Fabricant: Toshiba Memory America, Inc.
En stock
RFQ
TC58BYG0S3HBAI6

TC58BYG0S3HBAI6

La description: IC FLASH 1G PARALLEL 67VFBGA

Fabricant: Toshiba Memory America, Inc.
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RFQ
TC58CYG0S3HQAIE

TC58CYG0S3HQAIE

La description: IC FLASH 1G SPI 104MHZ 16SOP

Fabricant: Toshiba Memory America, Inc.
En stock
RFQ
TC58CVG2S0HQAIE

TC58CVG2S0HQAIE

La description: IC FLASH 4G SPI 104MHZ 16SOP

Fabricant: Toshiba Memory America, Inc.
En stock
RFQ
TC58CVG0S3HQAIE

TC58CVG0S3HQAIE

La description: IC FLASH 1G SPI 104MHZ 16SOP

Fabricant: Toshiba Memory America, Inc.
En stock
RFQ
TC58CVG0S3HRAIG

TC58CVG0S3HRAIG

La description: IC FLASH 1G SPI 104MHZ 8WSON

Fabricant: Toshiba Memory America, Inc.
En stock
RFQ
TC58CYG1S3HRAIG

TC58CYG1S3HRAIG

La description: 2GB SERIAL NAND 24NM WSON 1.8V

Fabricant: Toshiba Memory America, Inc.
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RFQ
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