Pour les visiteurs de Electronica 2024

Réservez votre temps maintenant!

Il suffit de quelques clics pour réserver votre place et obtenir le billet de stand

Hall C5 Booth 220

Inscription à l'avance

Pour les visiteurs de Electronica 2024
Vous êtes tous inscrits! Merci d'avoir pris rendez-vous!
Nous vous enverrons les billets de stand par e-mail une fois que nous aurons vérifié votre réservation.
Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > 2SK3309(Q)
RFQs/Ordre (0)
Français
Français
3643356

2SK3309(Q)

Demander une offre en ligne

Veuillez compléter tous les champs requis avec vos coordonnées. Cliquez sur "Soumettre RFQ", nous vous contacterons sous peu par e-mail.Ou envoyez-nous un e-mail:info@ftcelectronics.com
Enquête en ligne
Spécifications
  • Modèle de produit
    2SK3309(Q)
  • Fabricant / marque
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    MOSFET N-CH 450V 10A TO220FL
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    1.2SK3309(Q).pdf
    2.2SK3309(Q).pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    5V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • La technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Package composant fournisseur
    TO-220FL
  • Séries
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    650 mOhm @ 5A, 10V
  • Dissipation de puissance (max)
    65W (Tc)
  • Emballage
    Tube
  • Package / Boîte
    TO-220-3, Short Tab
  • Température de fonctionnement
    150°C (TJ)
  • Type de montage
    Through Hole
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
    920pF @ 10V
  • Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs
    23nC @ 10V
  • type de FET
    N-Channel
  • Fonction FET
    -
  • Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
    10V
  • Tension drain-source (Vdss)
    450V
  • Description détaillée
    N-Channel 450V 10A (Ta) 65W (Tc) Through Hole TO-220FL
  • Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C
    10A (Ta)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip annonce 500 licenciements, avec des coûts de res...

2024/12/4

Quanta: La demande d'IA continue d'être forte, ave...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung réduit considérablement l'utilisation de la p...

2024/12/2

Vishay investira 51 millions de livres sterling dans le NWF...

2024/11/29

La menace tarifaire de Trump, Nvidia, les fournisseurs d...

2024/11/28

Intel recevra 7,86 milliards de dollars de subventions en v...

2024/11/27

AMD lance la construction de la deuxième phase du Bangalor...

2024/11/26
Expédition
Paiement
Ce qui suit est des produits liés à "2SK3309(Q)".
2SK3367(01)-Z-E1-AZ

2SK3367(01)-Z-E1-AZ

La description: TRANSISTOR

Fabricant: Renesas Electronics America
En stock
RFQ
2SK3320-BL(TE85L,F

2SK3320-BL(TE85L,F

La description: JFET DUAL N-CH USV

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
En stock
RFQ
2SK3075(TE12L,Q)

2SK3075(TE12L,Q)

La description: MOSF RF N CH 30V 5A PW-X

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
En stock
RFQ
2SK3128(Q)

2SK3128(Q)

La description: MOSFET N-CH 30V 60A TO-3PN

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
En stock
RFQ
2SK3079ATE12LQ

2SK3079ATE12LQ

La description: MOSF RF N CH 10V PW-X

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
En stock
RFQ
2SK3078A(TE12L,F)

2SK3078A(TE12L,F)

La description: FET RF N-CH 10V 470 MHZ PW-MINI

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
En stock
RFQ
2SK3074TE12LF

2SK3074TE12LF

La description: MOSF RF N CH 30V 1A PW-MINI

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
En stock
RFQ
2SK3353-AZ

2SK3353-AZ

La description: TRANSISTOR

Fabricant: Renesas Electronics America
En stock
RFQ
2SK327700L

2SK327700L

La description: MOSFET N-CH 200V 2.5A UG-1

Fabricant: Panasonic
En stock
RFQ
2SK3313(Q)

2SK3313(Q)

La description: MOSFET N-CH 500V 12A TO220NIS

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
En stock
RFQ
2SK3127(TE24L,Q)

2SK3127(TE24L,Q)

La description: MOSFET N-CH 30V 45A TO220SM

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
En stock
RFQ
2SK3318

2SK3318

La description: MOSFET N-CH 600V 15A TOP-3F

Fabricant: Panasonic
En stock
RFQ
2SK3132(Q)

2SK3132(Q)

La description: MOSFET N-CH 500V 50A TO-3P(L)

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
En stock
RFQ
2SK326800L

2SK326800L

La description: MOSFET N-CH 100V 15A UG-2

Fabricant: Panasonic
En stock
RFQ
2SK3309(TE24L,Q)

2SK3309(TE24L,Q)

La description: MOSFET N-CH 450V 10A TO220SM

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
En stock
RFQ
2SK3199

2SK3199

La description: MOSFET N-CH 500V TO-220F

Fabricant: Sanken Electric Co., Ltd.
En stock
RFQ
2SK3342(TE16L1,NQ)

2SK3342(TE16L1,NQ)

La description: MOSFET N-CH 250V 4.5A PW-MOLD

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
En stock
RFQ
2SK3353-Z-E1-AZ

2SK3353-Z-E1-AZ

La description: TRANSISTOR

Fabricant: Renesas Electronics America
En stock
RFQ
2SK3353(0)-Z-E1-AZ

2SK3353(0)-Z-E1-AZ

La description: TRANSISTOR

Fabricant: Renesas Electronics America
En stock
RFQ
2SK3320-Y(TE85L,F)

2SK3320-Y(TE85L,F)

La description: JFET DUAL N-CH USV

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
En stock
RFQ
En tant que seul distributeur public sur le marché libre, nous possédons une combinaison unique d'accès mondial, d'expertise de l'industrie manufacturière et de qualité éprouvée.Avec cela, nous pouvons créer des solutions personnalisées de la chaîne d'approvisionnement de bout en bout pour l'approvisionnement en composants électroniques et la gestion des stocks.
Suivez-nous
termes et conditionsPolitique d'infractionDemander un devisÀ propos de nousContactez-nousSite

Choisir la langue

Cliquez sur l'espace pour quitter

Langue courante

Choisissez votre pays ou région.