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RN1103MFV(TPL3) image

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1103MFV(TPL3)

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Spécifications

Modèle de produit

RN1103MFV(TPL3)
Fabricant / marque

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Quantité en stock

En stock
La description

TRANS PREBIAS NPN 150MW VESM
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

RN1103MFV(TPL3).pdf
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)

50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 500µA, 5mA
Transistor Type

NPN - Pre-Biased
Package composant fournisseur

VESM
Séries

-
Résistance - Base de l'émetteur (R2)

22 kOhms
Résistance - Base (R1)

22 kOhms
Puissance - Max

150mW
Emballage

Tape & Reel (TR)
Package / Boîte

SOT-723
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

12 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Description détaillée

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150mW Surface Mount VESM
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

70 @ 10mA, 5V
Courant - Collecteur Cutoff (Max)

500nA
Courant - Collecteur (Ic) (max)

100mA
Numéro de pièce de base

RN110*

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Expédition

Paiement

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