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4934244RN1104T5LFT imageToshiba Semiconductor and Storage

RN1104T5LFT

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Spécifications
  • Modèle de produit
    RN1104T5LFT
  • Fabricant / marque
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
  • Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)
    50V
  • Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
    300mV @ 250µA, 5mA
  • Transistor Type
    NPN - Pre-Biased
  • Package composant fournisseur
    SSM
  • Séries
    -
  • Résistance - Base de l'émetteur (R2)
    47 kOhms
  • Résistance - Base (R1)
    47 kOhms
  • Puissance - Max
    100mW
  • Emballage
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Boîte
    SC-75, SOT-416
  • Autres noms
    RN1104(T5L,F,T)
    RN1104T5LFT-ND
    RN1104T5LFTTR
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Fréquence - Transition
    250MHz
  • Description détaillée
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount SSM
  • Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce
    80 @ 10mA, 5V
  • Courant - Collecteur Cutoff (Max)
    500nA
  • Courant - Collecteur (Ic) (max)
    100mA
  • Numéro de pièce de base
    RN110*
RN1106ACT(TPL3)

RN1106ACT(TPL3)

La description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
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RN1105MFV,L3F

RN1105MFV,L3F

La description: TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
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RN1105ACT(TPL3)

RN1105ACT(TPL3)

La description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
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RN1102T5LFT

RN1102T5LFT

La description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
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RN1105,LF(CT

RN1105,LF(CT

La description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1W SSM

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
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RN1103,LF(CT

RN1103,LF(CT

La description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
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RN1106MFV(TL3,T)

RN1106MFV(TL3,T)

La description: TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
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RN1103MFV,L3F

RN1103MFV,L3F

La description: TRANS PREBIAS NPN 150MW VESM

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RN1106CT(TPL3)

RN1106CT(TPL3)

La description: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3

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RN1106,LF(CT

RN1106,LF(CT

La description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1W SSM

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
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RN1104CT(TPL3)

RN1104CT(TPL3)

La description: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
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RN1103ACT(TPL3)

RN1103ACT(TPL3)

La description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
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RN1103MFV(TPL3)

RN1103MFV(TPL3)

La description: TRANS PREBIAS NPN 150MW VESM

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
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RN1104,LF(CT

RN1104,LF(CT

La description: TRANS PREBIAS NPN 50V 100MA SSM

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RN1104ACT(TPL3)

RN1104ACT(TPL3)

La description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3

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RN1107,LF(CT

RN1107,LF(CT

La description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

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RN1105CT(TPL3)

RN1105CT(TPL3)

La description: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3

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RN1103CT(TPL3)

RN1103CT(TPL3)

La description: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3

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RN1104MFV,L3F

RN1104MFV,L3F

La description: TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM

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RN1106MFV,L3F

RN1106MFV,L3F

La description: TRANS PREBIAS NPN

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