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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - bipolaire (BJT) - Single, pré biaisé > RN1313(TE85L,F)
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1736640RN1313(TE85L,F) imageToshiba Semiconductor and Storage

RN1313(TE85L,F)

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500+
$0.081
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Spécifications
  • Modèle de produit
    RN1313(TE85L,F)
  • Fabricant / marque
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    TRANS PREBIAS NPN 0.15W USM
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
  • Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)
    50V
  • Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
    300mV @ 250µA, 5mA
  • Transistor Type
    NPN - Pre-Biased
  • Package composant fournisseur
    USM
  • Séries
    -
  • Résistance - Base (R1)
    47 kOhms
  • Puissance - Max
    150mW
  • Emballage
    Cut Tape (CT)
  • Package / Boîte
    SC-70, SOT-323
  • Autres noms
    RN1313(TE85LF)CT
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Fréquence - Transition
    250MHz
  • Description détaillée
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount USM
  • Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce
    120 @ 1mA, 5V
  • Courant - Collecteur Cutoff (Max)
    100nA (ICBO)
  • Courant - Collecteur (Ic) (max)
    100mA
RN1316,LF

RN1316,LF

La description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
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RN1314(TE85L,F)

RN1314(TE85L,F)

La description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
En stock
RN1309,LF

RN1309,LF

La description: X34 PB-F USM TRANSISTOR PD 100MW

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
En stock
RN1317(TE85L,F)

RN1317(TE85L,F)

La description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
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RN1318(TE85L,F)

RN1318(TE85L,F)

La description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
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RN1309(TE85L,F)

RN1309(TE85L,F)

La description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
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RN1304,LF

RN1304,LF

La description: X34 PB-F USM PLN (LF) TRANSISTOR

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
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RN1307,LF

RN1307,LF

La description: X34 PB-F USM TRANSISTOR PD 100MW

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
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RN131C/RM481

RN131C/RM481

La description: RF TXRX MODULE WIFI CHIP ANT UFL

Fabricant: Micrel / Microchip Technology
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RN1306,LF

RN1306,LF

La description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
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RN131G-I/RM

RN131G-I/RM

La description: RF TXRX MOD WIFI CHIP + U.FL ANT

Fabricant: Micrel / Microchip Technology
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RN1315,LF

RN1315,LF

La description: X34 PB-F USM TRANSISTOR PD 100MW

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
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RN1308,LF

RN1308,LF

La description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
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RN1312(TE85L,F)

RN1312(TE85L,F)

La description: TRANS PREBIAS NPN 0.15W USM

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
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RN131C/RM475

RN131C/RM475

La description: RF TXRX MOD WIFI CHIP + U.FL ANT

Fabricant: Micrel / Microchip Technology
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RN1305,LF

RN1305,LF

La description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
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RN131C/RM

RN131C/RM

La description: RF TXRX MOD WIFI CHIP + U.FL ANT

Fabricant: Micrel / Microchip Technology
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RN131G-I/RM475

RN131G-I/RM475

La description: RF TXRX MOD WIFI CHIP + U.FL ANT

Fabricant: Micrel / Microchip Technology
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RN1310(TE85L,F)

RN1310(TE85L,F)

La description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
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RN1311,LF

RN1311,LF

La description: X34 PB-F USM TRANSISTOR PD 100MW

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
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