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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - bipolaire (BJT) - Single, pré biaisé > RN1305,LF
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864705RN1305,LF imageToshiba Semiconductor and Storage

RN1305,LF

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500+
$0.081
1000+
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Spécifications
  • Modèle de produit
    RN1305,LF
  • Fabricant / marque
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
  • Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)
    50V
  • Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
    300mV @ 250µA, 5mA
  • Transistor Type
    NPN - Pre-Biased
  • Package composant fournisseur
    USM
  • Séries
    -
  • Résistance - Base de l'émetteur (R2)
    47 kOhms
  • Résistance - Base (R1)
    2.2 kOhms
  • Puissance - Max
    100mW
  • Emballage
    Original-Reel®
  • Package / Boîte
    SC-70, SOT-323
  • Autres noms
    RN1305LFDKR
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Délai de livraison standard du fabricant
    16 Weeks
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Fréquence - Transition
    250MHz
  • Description détaillée
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount USM
  • Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce
    80 @ 10mA, 5V
  • Courant - Collecteur Cutoff (Max)
    500nA
  • Courant - Collecteur (Ic) (max)
    100mA
RN1302SU,LF

RN1302SU,LF

La description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM

Fabricant: Touchstone
En stock
RN1302,LF

RN1302,LF

La description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
En stock
RN1304,LF

RN1304,LF

La description: X34 PB-F USM PLN (LF) TRANSISTOR

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
En stock
RN1314(TE85L,F)

RN1314(TE85L,F)

La description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
En stock
RN123-I/RM

RN123-I/RM

La description: RF TXRX MOD WIFI CHIP + U.FL ANT

Fabricant: Micrel / Microchip Technology
En stock
RN1313(TE85L,F)

RN1313(TE85L,F)

La description: TRANS PREBIAS NPN 0.15W USM

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
En stock
RN1307,LF

RN1307,LF

La description: X34 PB-F USM TRANSISTOR PD 100MW

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
En stock
RN122-4-02-1M8

RN122-4-02-1M8

La description: CMC 1.8MH 4A 2LN TH

Fabricant: Schaffner EMC, Inc.
En stock
RN1306,LF

RN1306,LF

La description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
En stock
RN1311,LF

RN1311,LF

La description: X34 PB-F USM TRANSISTOR PD 100MW

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
En stock
RN1301,LF

RN1301,LF

La description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
En stock
RN122-4-02-1

RN122-4-02-1

La description: COMMON MODE CHOKE 3.3MH 4A

Fabricant: Schaffner EMC, Inc.
En stock
RN1309(TE85L,F)

RN1309(TE85L,F)

La description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
En stock
RN125-I/RM

RN125-I/RM

La description: RF TXRX MOD WIFI CHIP + U.FL ANT

Fabricant: Micrel / Microchip Technology
En stock
RN122-4-02-3M3

RN122-4-02-3M3

La description: CMC 3.3MH 4A 2LN TH

Fabricant: Schaffner EMC, Inc.
En stock
RN1303(TE85L,F)

RN1303(TE85L,F)

La description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
En stock
RN1312(TE85L,F)

RN1312(TE85L,F)

La description: TRANS PREBIAS NPN 0.15W USM

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
En stock
RN1310(TE85L,F)

RN1310(TE85L,F)

La description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
En stock
RN1309,LF

RN1309,LF

La description: X34 PB-F USM TRANSISTOR PD 100MW

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
En stock
RN1308,LF

RN1308,LF

La description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
En stock

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