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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - bipolaire (BJT) - Single, pré biaisé > RN1418(TE85L,F)
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RN1418(TE85L,F)

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Spécifications
  • Modèle de produit
    RN1418(TE85L,F)
  • Fabricant / marque
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    TRANS PREBIAS NPN 0.2W S-MINI
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    RN1418(TE85L,F).pdf
  • Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)
    50V
  • Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
    300mV @ 250µA, 5mA
  • Transistor Type
    NPN - Pre-Biased
  • Package composant fournisseur
    S-Mini
  • Séries
    -
  • Résistance - Base de l'émetteur (R2)
    10 kOhms
  • Résistance - Base (R1)
    47 kOhms
  • Puissance - Max
    200mW
  • Emballage
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Boîte
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Autres noms
    RN1418(TE85LF)TR
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Fréquence - Transition
    250MHz
  • Description détaillée
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount S-Mini
  • Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce
    50 @ 10mA, 5V
  • Courant - Collecteur Cutoff (Max)
    500nA
  • Courant - Collecteur (Ic) (max)
    100mA

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Paiement
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RN1408,LF(B

RN1408,LF(B

La description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.2W SMINI

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
En stock
RFQ
RN1415(TE85L,F)

RN1415(TE85L,F)

La description: TRANS PREBIAS NPN 0.2W S-MINI

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
En stock
RFQ
RN142-1.4-02-27M

RN142-1.4-02-27M

La description: CMC 27MH 1.4A 2LN TH

Fabricant: Schaffner EMC, Inc.
En stock
RFQ
RN142-1-02-33M

RN142-1-02-33M

La description: CMC 33MH 1A 2LN TH

Fabricant: Schaffner EMC, Inc.
En stock
RFQ
RN141STE61

RN141STE61

La description: DIODE FAST REC 50V 100MA 2EMD TR

Fabricant: LAPIS Semiconductor
En stock
RFQ
RN1412TE85LF

RN1412TE85LF

La description: TRANS PREBIAS NPN 0.2W S-MINI

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
En stock
RFQ
RN142-2-02

RN142-2-02

La description: CMC 6.8MH 2A 2LN TH

Fabricant: Schaffner EMC, Inc.
En stock
RFQ
RN1414,LF

RN1414,LF

La description: TRANS PREBIAS NPN 0.2W S-MINI

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
En stock
RFQ
RN142-1-02

RN142-1-02

La description: COMMON MODE CHOKE 33MH 1A 2LN TH

Fabricant: Schaffner EMC, Inc.
En stock
RFQ
RN142-2-02-6M8

RN142-2-02-6M8

La description: CMC 6.8MH 2A 2LN TH

Fabricant: Schaffner EMC, Inc.
En stock
RFQ
RN1409,LF

RN1409,LF

La description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.2W SMINI

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
En stock
RFQ
RN1417(TE85L,F)

RN1417(TE85L,F)

La description: TRANS PREBIAS NPN 0.2W S-MINI

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
En stock
RFQ
RN142-0.5-02-82M

RN142-0.5-02-82M

La description: CMC 82MH 500MA 2LN TH

Fabricant: Schaffner EMC, Inc.
En stock
RFQ
RN141GT2R

RN141GT2R

La description: DIODE PIN HF SW 50V 100MA VMD2

Fabricant: LAPIS Semiconductor
En stock
RFQ
RN1406,LF

RN1406,LF

La description: TRANS PREBIAS NPN 0.2W S-MINI

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
En stock
RFQ
RN1413(TE85L,F)

RN1413(TE85L,F)

La description: TRANS PREBIAS NPN 0.2W SMINI

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
En stock
RFQ
RN1416,LF

RN1416,LF

La description: TRANS PREBIAS NPN 0.2W S-MINI

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
En stock
RFQ
RN142-0.5-02

RN142-0.5-02

La description: CMC 82MH 500MA 2LN TH

Fabricant: Schaffner EMC, Inc.
En stock
RFQ
RN142-1.4-02

RN142-1.4-02

La description: CMC 27MH 1.4A 2LN TH

Fabricant: Schaffner EMC, Inc.
En stock
RFQ
RN1406S,LF(D

RN1406S,LF(D

La description: TRANS PREBIAS NPN 0.2W SMINI

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
En stock
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