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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - bipolaire (BJT) - Single, pré biaisé > RN1425TE85LF
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RN1425TE85LF

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Spécifications
  • Modèle de produit
    RN1425TE85LF
  • Fabricant / marque
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    TRANS PREBIAS NPN 200MW SMINI
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    RN1425TE85LF.pdf
  • Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)
    50V
  • Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
    250mV @ 1mA, 50mA
  • Transistor Type
    NPN - Pre-Biased
  • Package composant fournisseur
    S-Mini
  • Séries
    -
  • Résistance - Base de l'émetteur (R2)
    10 kOhms
  • Résistance - Base (R1)
    470 Ohms
  • Puissance - Max
    200mW
  • Emballage
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Boîte
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Autres noms
    RN1425(TE85L,F)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Délai de livraison standard du fabricant
    11 Weeks
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Fréquence - Transition
    300MHz
  • Description détaillée
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 800mA 300MHz 200mW Surface Mount S-Mini
  • Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce
    90 @ 100mA, 1V
  • Courant - Collecteur Cutoff (Max)
    500nA
  • Courant - Collecteur (Ic) (max)
    800mA
  • Numéro de pièce de base
    RN142*

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Expédition
Paiement
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RN142-6-02-1M8

RN142-6-02-1M8

La description: CMC 1.8MH 6A 2LN TH

Fabricant: Schaffner EMC, Inc.
En stock
RFQ
RN142-2-02

RN142-2-02

La description: CMC 6.8MH 2A 2LN TH

Fabricant: Schaffner EMC, Inc.
En stock
RFQ
RN142-6-02

RN142-6-02

La description: CMC 1.8MH 6A 2LN TH

Fabricant: Schaffner EMC, Inc.
En stock
RFQ
RN142ZS8ATE61

RN142ZS8ATE61

La description: DIODE PIN HF SW 30V 50MA HMD8

Fabricant: LAPIS Semiconductor
En stock
RFQ
RN142-4-02-3M3

RN142-4-02-3M3

La description: CMC 3.3MH 4A 2LN TH

Fabricant: Schaffner EMC, Inc.
En stock
RFQ
RN142VTE-17

RN142VTE-17

La description: DIODE PIN 60V UMD

Fabricant: LAPIS Semiconductor
En stock
RFQ
RN1421TE85LF

RN1421TE85LF

La description: TRANS PREBIAS NPN 200MW SMINI

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
En stock
RFQ
RN143-0.5-02-100M

RN143-0.5-02-100M

La description: CMC 100MH 500MA 2LN TH

Fabricant: Schaffner EMC, Inc.
En stock
RFQ
RN142-4-02

RN142-4-02

La description: CMC 3.3MH 4A 2LN TH

Fabricant: Schaffner EMC, Inc.
En stock
RFQ
RN142STE61

RN142STE61

La description: DIODE PIN 60V 100MA EMD2 TR

Fabricant: LAPIS Semiconductor
En stock
RFQ
RN1427TE85LF

RN1427TE85LF

La description: TRANS PREBIAS NPN 200MW SMINI

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
En stock
RFQ
RN142ZS12ATE61

RN142ZS12ATE61

La description: DIODE PIN HF SW 30V 50MA HMD12

Fabricant: LAPIS Semiconductor
En stock
RFQ
RN1426TE85LF

RN1426TE85LF

La description: TRANS PREBIAS NPN 200MW SMINI

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
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RFQ
RN1424TE85LF

RN1424TE85LF

La description: TRANS PREBIAS NPN 200MW SMINI

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
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RFQ
RN142-2-02-6M8

RN142-2-02-6M8

La description: CMC 6.8MH 2A 2LN TH

Fabricant: Schaffner EMC, Inc.
En stock
RFQ
RN143-0.5-02

RN143-0.5-02

La description: CMC 100MH 500MA 2LN TH

Fabricant: Schaffner EMC, Inc.
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RFQ
RN142GT2R

RN142GT2R

La description: DIODE PIN 60V 100MA VMD2

Fabricant: LAPIS Semiconductor
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RFQ
RN1423TE85LF

RN1423TE85LF

La description: TRANS PREBIAS NPN 200MW SMINI

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
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RFQ
RN1422TE85LF

RN1422TE85LF

La description: TRANS PREBIAS NPN 200MW SMINI

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
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RFQ
RN142ZST2R

RN142ZST2R

La description: DIODE PIN 30V 50MA GMD2

Fabricant: LAPIS Semiconductor
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