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4989074RN1906,LF(CT imageToshiba Semiconductor and Storage

RN1906,LF(CT

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  • Modèle de produit
    RN1906,LF(CT
  • Fabricant / marque
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    RN1906,LF(CT.pdf
  • Modèle ECAD
  • Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)
    50V
  • Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
    300mV @ 250µA, 5mA
  • Transistor Type
    2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • Package composant fournisseur
    US6
  • Séries
    -
  • Résistance - Base de l'émetteur (R2)
    47 kOhms
  • Résistance - Base (R1)
    4.7 kOhms
  • Puissance - Max
    200mW
  • Emballage
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Boîte
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Autres noms
    RN1906,LF(CB
    RN1906LF(CT
    RN1906LF(CT-ND
    RN1906LF(CTTR
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Délai de livraison standard du fabricant
    12 Weeks
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Fréquence - Transition
    250MHz
  • Description détaillée
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount US6
  • Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce
    80 @ 10mA, 5V
  • Courant - Collecteur Cutoff (Max)
    500nA
  • Courant - Collecteur (Ic) (max)
    100mA

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RN1902T5LFT

RN1902T5LFT

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RN1907,LF(CT

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RN1904,LF(CT

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RN1908FE(TE85L,F)

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RN1908(T5L,F,T)

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RN1910,LF(CT

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RN1905(T5L,F,T)

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RN1905FE,LF(CB

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RN1903,LF(CT

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RN1906FE(T5L,F,T)

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RN1907FE,LF(CB

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RN1907,LF

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