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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - bipolaire (BJT) - Single, pré biaisé > RN2101ACT(TPL3)
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847260RN2101ACT(TPL3) imageToshiba Semiconductor and Storage

RN2101ACT(TPL3)

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Spécifications
  • Modèle de produit
    RN2101ACT(TPL3)
  • Fabricant / marque
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    TRANS PREBIAS PNP 0.1W CST3
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
  • Modèle ECAD
  • Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)
    50V
  • Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
    150mV @ 500µA, 5mA
  • Transistor Type
    PNP - Pre-Biased
  • Package composant fournisseur
    CST3
  • Séries
    -
  • Résistance - Base de l'émetteur (R2)
    4.7 kOhms
  • Résistance - Base (R1)
    4.7 kOhms
  • Puissance - Max
    100mW
  • Emballage
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Boîte
    SC-101, SOT-883
  • Autres noms
    RN2101ACT(TPL3)TR
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Description détaillée
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 80mA 100mW Surface Mount CST3
  • Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce
    30 @ 10mA, 5V
  • Courant - Collecteur Cutoff (Max)
    500nA
  • Courant - Collecteur (Ic) (max)
    80mA
RN2101,LF(CT

RN2101,LF(CT

La description: TRANS PREBIAS PNP 0.1W SSM

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
En stock
RN204-0.6-02-4M4

RN204-0.6-02-4M4

La description: CMC 4.4MH 600MA 2LN TH

Fabricant: Schaffner EMC, Inc.
En stock
RN2104(T5L,F,T)

RN2104(T5L,F,T)

La description: TRANS PREBIAS PNP 0.1W SSM

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
En stock
RN21-I/RM

RN21-I/RM

La description: RF TXRX MODULE BLUETOOTH

Fabricant: Micrel / Microchip Technology
En stock
RN2103CT(TPL3)

RN2103CT(TPL3)

La description: TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
En stock
RN2103(T5L,F,T)

RN2103(T5L,F,T)

La description: TRANS PREBIAS PNP 0.1W SSM

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
En stock
RN2102CT(TPL3)

RN2102CT(TPL3)

La description: TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
En stock
RN2103ACT(TPL3)

RN2103ACT(TPL3)

La description: TRANS PREBIAS PNP 0.1W CST3

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
En stock
RN204-1.5-02-1M6

RN204-1.5-02-1M6

La description: CMC 1.6MH 1.5A 2LN TH

Fabricant: Schaffner EMC, Inc.
En stock
RN204-0.3-02-12M

RN204-0.3-02-12M

La description: CMC 12MH 300MA 2LN TH

Fabricant: Schaffner EMC, Inc.
En stock
RN2101CT(TPL3)

RN2101CT(TPL3)

La description: TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
En stock
RN2102,LF(CT

RN2102,LF(CT

La description: TRANS PREBIAS PNP 0.1W SSM

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
En stock
RN204-2-02-1M1

RN204-2-02-1M1

La description: CMC 1.1MH 2A 2LN TH

Fabricant: Schaffner EMC, Inc.
En stock
RN2102ACT(TPL3)

RN2102ACT(TPL3)

La description: TRANS PREBIAS PNP 0.1W CST3

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
En stock
RN204-0.3-02-22M

RN204-0.3-02-22M

La description: CMC 22MH 300MA 2LN TH

Fabricant: Schaffner EMC, Inc.
En stock
RN2103MFV,L3F

RN2103MFV,L3F

La description: X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
En stock
RN2104ACT(TPL3)

RN2104ACT(TPL3)

La description: TRANS PREBIAS PNP 0.1W CST3

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
En stock
RN202-2-02

RN202-2-02

La description: CMC 1.1MH 2A 2LN TH

Fabricant: Schaffner EMC, Inc.
En stock
RN202-2-02-1M1

RN202-2-02-1M1

La description: CMC 1.1MH 2A 2LN TH

Fabricant: Schaffner EMC, Inc.
En stock
RN204-1-02-3M0

RN204-1-02-3M0

La description: CMC 3MH 1A 2LN TH

Fabricant: Schaffner EMC, Inc.
En stock

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