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946484RN2106(T5L,F,T) imageToshiba Semiconductor and Storage

RN2106(T5L,F,T)

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Spécifications
  • Modèle de produit
    RN2106(T5L,F,T)
  • Fabricant / marque
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    TRANS PREBIAS PNP 0.1W SSM
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    RN2106(T5L,F,T).pdf
  • Modèle ECAD
  • Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)
    50V
  • Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
    300mV @ 250µA, 5mA
  • Transistor Type
    PNP - Pre-Biased
  • Package composant fournisseur
    SSM
  • Séries
    -
  • Résistance - Base de l'émetteur (R2)
    47 kOhms
  • Résistance - Base (R1)
    4.7 kOhms
  • Puissance - Max
    100mW
  • Emballage
    Cut Tape (CT)
  • Package / Boîte
    SC-75, SOT-416
  • Autres noms
    RN2106(T5LFT)CT
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Fréquence - Transition
    200MHz
  • Description détaillée
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount SSM
  • Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce
    80 @ 10mA, 5V
  • Courant - Collecteur Cutoff (Max)
    500nA
  • Courant - Collecteur (Ic) (max)
    100mA

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RN2106CT(TPL3)

RN2106CT(TPL3)

La description: TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
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RFQ
RN2104CT(TPL3)

RN2104CT(TPL3)

La description: TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
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RFQ
RN2106ACT(TPL3)

RN2106ACT(TPL3)

La description: TRANS PREBIAS PNP 0.1W CST3

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
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RFQ
RN2103CT(TPL3)

RN2103CT(TPL3)

La description: TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
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RFQ
RN2108MFV,L3F

RN2108MFV,L3F

La description: X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
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RFQ
RN2104ACT(TPL3)

RN2104ACT(TPL3)

La description: TRANS PREBIAS PNP 0.1W CST3

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
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RFQ
RN2103MFV,L3F

RN2103MFV,L3F

La description: X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
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RFQ
RN2103ACT(TPL3)

RN2103ACT(TPL3)

La description: TRANS PREBIAS PNP 0.1W CST3

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
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RFQ
RN2105CT(TPL3)

RN2105CT(TPL3)

La description: TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3

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RFQ
RN2107CT(TPL3)

RN2107CT(TPL3)

La description: TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
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RFQ
RN2107,LF(CB

RN2107,LF(CB

La description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1W SSM

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RN2105MFV,L3F

RN2105MFV,L3F

La description: X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M

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RN2108ACT(TPL3)

RN2108ACT(TPL3)

La description: TRANS PREBIAS PNP 0.1W CST3

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RN2104(T5L,F,T)

RN2104(T5L,F,T)

La description: TRANS PREBIAS PNP 0.1W SSM

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RN2108(T5L,F,T)

RN2108(T5L,F,T)

La description: TRANS PREBIAS PNP 0.1W SSM

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RN2108CT(TPL3)

RN2108CT(TPL3)

La description: TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3

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RN2107ACT(TPL3)

RN2107ACT(TPL3)

La description: TRANS PREBIAS PNP 0.1W CST3

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RN2105ACT(TPL3)

RN2105ACT(TPL3)

La description: TRANS PREBIAS PNP 0.1W CST3

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RN2107MFV,L3F

RN2107MFV,L3F

La description: TRANS PREBIAS NPN

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RN2104MFV,L3F

RN2104MFV,L3F

La description: TRANS PREBIAS PNP 50V 500NA VESM

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