RN2109MFV,L3F

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Spécifications

Modèle de produit

RN2109MFV,L3F
Fabricant / marque

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Quantité en stock

En stock
La description

X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

RN2109MFV,L3F.pdf
Modèle ECAD
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)

50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type

PNP - Pre-Biased
Package composant fournisseur

VESM
Séries

-
Résistance - Base de l'émetteur (R2)

22 kOhms
Résistance - Base (R1)

47 kOhms
Puissance - Max

150mW
Package / Boîte

SOT-723
Autres noms

RN2109MFVL3F
Type de montage

Surface Mount
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Description détaillée

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 150mW Surface Mount VESM
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

70 @ 10mA, 5V
Courant - Collecteur Cutoff (Max)

500nA
Courant - Collecteur (Ic) (max)

100mA

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Ce qui suit est des produits liés à "RN2109MFV,L3F".

RN2109ACT(TPL3)

La description: TRANS PREBIAS PNP 0.1W CST3

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage

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