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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - bipolaire (BJT) - Single, pré biaisé > RN2112,LF(CT
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50722RN2112,LF(CT imageToshiba Semiconductor and Storage

RN2112,LF(CT

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Spécifications
  • Modèle de produit
    RN2112,LF(CT
  • Fabricant / marque
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1W SSM
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
  • Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)
    50V
  • Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
    300mV @ 250µA, 5mA
  • Transistor Type
    PNP - Pre-Biased
  • Package composant fournisseur
    SSM
  • Séries
    -
  • Résistance - Base (R1)
    22 kOhms
  • Puissance - Max
    100mW
  • Emballage
    Cut Tape (CT)
  • Package / Boîte
    SC-75, SOT-416
  • Autres noms
    RN2112(T5LFT)CT
    RN2112(T5LFT)CT-ND
    RN2112,LF(CTCT
    RN2112,LF(CTCT-ND
    RN2112LF(CBCT
    RN2112LF(CBCT-ND
    RN2112LF(CTCT
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Fréquence - Transition
    200MHz
  • Description détaillée
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount SSM
  • Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce
    120 @ 1mA, 5V
  • Courant - Collecteur Cutoff (Max)
    100nA (ICBO)
  • Courant - Collecteur (Ic) (max)
    100mA
RN2110,LF(CB

RN2110,LF(CB

La description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1W SSM

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
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RN2109MFV,L3F

RN2109MFV,L3F

La description: X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
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RN2110CT(TPL3)

RN2110CT(TPL3)

La description: TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3

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RN2112CT(TPL3)

RN2112CT(TPL3)

La description: TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
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RN2113CT(TPL3)

RN2113CT(TPL3)

La description: TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
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RN2111,LF(CB

RN2111,LF(CB

La description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1W SSM

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RN2110MFV,L3F

RN2110MFV,L3F

La description: X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M

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RN2111CT(TPL3)

RN2111CT(TPL3)

La description: TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3

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RN2114(TE85L,F)

RN2114(TE85L,F)

La description: TRANS PREBIAS PNP 0.1W SSM

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RN2117(T5L,F,T)

RN2117(T5L,F,T)

La description: TRANS PREBIAS PNP 0.1W SSM

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RN2110ACT(TPL3)

RN2110ACT(TPL3)

La description: TRANS PREBIAS PNP 0.1W CST3

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
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RN2115,LF(CB

RN2115,LF(CB

La description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1W SSM

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RN2111MFV,L3F

RN2111MFV,L3F

La description: X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M

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RN2115MFV,L3F

RN2115MFV,L3F

La description: X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M

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RN2111ACT(TPL3)

RN2111ACT(TPL3)

La description: TRANS PREBIAS PNP 0.1W CST3

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RN2113ACT(TPL3)

RN2113ACT(TPL3)

La description: TRANS PREBIAS PNP 0.1W CST3

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
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RN2116,LF(CT

RN2116,LF(CT

La description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1W SSM

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RN2114MFV,L3F

RN2114MFV,L3F

La description: X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M

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RN2109CT(TPL3)

RN2109CT(TPL3)

La description: TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3

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RN2112ACT(TPL3)

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