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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - bipolaire (BJT) - Single, pré biaisé > RN2310,LF
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616533RN2310,LF imageToshiba Semiconductor and Storage

RN2310,LF

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Spécifications
  • Modèle de produit
    RN2310,LF
  • Fabricant / marque
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
  • Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)
    50V
  • Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
    300mV @ 250µA, 5mA
  • Transistor Type
    PNP - Pre-Biased
  • Package composant fournisseur
    USM
  • Séries
    -
  • Résistance - Base (R1)
    4.7 kOhms
  • Puissance - Max
    100mW
  • Emballage
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Boîte
    SC-70, SOT-323
  • Autres noms
    RN2310,LF(B
    RN2310,LF(T
    RN2310LFTR
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Délai de livraison standard du fabricant
    16 Weeks
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Fréquence - Transition
    200MHz
  • Description détaillée
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount USM
  • Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce
    120 @ 1mA, 5V
  • Courant - Collecteur Cutoff (Max)
    100nA (ICBO)
  • Courant - Collecteur (Ic) (max)
    100mA
RN2312(TE85L,F)

RN2312(TE85L,F)

La description: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
En stock
RN2307(TE85L,F)

RN2307(TE85L,F)

La description: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
En stock
RN2313(TE85L,F)

RN2313(TE85L,F)

La description: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
En stock
RN2310(TE85L,F)

RN2310(TE85L,F)

La description: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
En stock
RN2309(TE85L,F)

RN2309(TE85L,F)

La description: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
En stock
RN232-0.6-02-47M

RN232-0.6-02-47M

La description: CMC 47MH 600MA 2LN TH

Fabricant: Schaffner EMC, Inc.
En stock
RN2315TE85LF

RN2315TE85LF

La description: TRANS PREBIAS PNP 0.1W SC-70

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
En stock
RN2311(TE85L,F)

RN2311(TE85L,F)

La description: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
En stock
RN2316(TE85L,F)

RN2316(TE85L,F)

La description: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
En stock
RN232-0.6-02

RN232-0.6-02

La description: COMMON MODE CHOKE 47MH 600MA

Fabricant: Schaffner EMC, Inc.
En stock
RN2304(TE85L,F)

RN2304(TE85L,F)

La description: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
En stock
RN2302,LF

RN2302,LF

La description: X34 PB-F USM TRANSISTOR PD 100MW

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
En stock
RN2303(TE85L,F)

RN2303(TE85L,F)

La description: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
En stock
RN2314(TE85L,F)

RN2314(TE85L,F)

La description: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
En stock
RN2301,LF

RN2301,LF

La description: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
En stock
RN2318(TE85L,F)

RN2318(TE85L,F)

La description: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
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RN2305(TE85L,F)

RN2305(TE85L,F)

La description: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
En stock
RN2308(TE85L,F)

RN2308(TE85L,F)

La description: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
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RN2306,LF

RN2306,LF

La description: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
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RN2317(TE85L,F)

RN2317(TE85L,F)

La description: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
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