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5896872RN4981,LF(CT imageToshiba Semiconductor and Storage

RN4981,LF(CT

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Spécifications
  • Modèle de produit
    RN4981,LF(CT
  • Fabricant / marque
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
  • Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)
    50V
  • Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
    300mV @ 250µA, 5mA
  • Transistor Type
    1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Package composant fournisseur
    US6
  • Séries
    -
  • Résistance - Base de l'émetteur (R2)
    4.7 kOhms
  • Résistance - Base (R1)
    4.7 kOhms
  • Puissance - Max
    200mW
  • Emballage
    Cut Tape (CT)
  • Package / Boîte
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Autres noms
    RN4981(T5LFT)CT
    RN4981(T5LFT)CT-ND
    RN4981LF(CTCT
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Fréquence - Transition
    250MHz, 200MHz
  • Description détaillée
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz, 200MHz 200mW Surface Mount US6
  • Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce
    30 @ 10mA, 5V
  • Courant - Collecteur Cutoff (Max)
    100µA (ICBO)
  • Courant - Collecteur (Ic) (max)
    100mA
RN4910(T5L,F,T)

RN4910(T5L,F,T)

La description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6

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RN4906,LF

RN4906,LF

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RN4983,LF(CT

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RN4910,LF

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RN4981FE,LF(CB

RN4981FE,LF(CB

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RN4982,LF(CT

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RN4984,LF(CT

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RN4907,LF

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RN4983FE,LF(CB

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RN4985,LF(CT

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RN4907FE,LF(CB

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RN4982FE,LF(CB

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RN4908(T5L,F,T)

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RN4907(T5L,F,T)

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RN4911(T5L,F,T)

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RN4906FE,LF(CB

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RN4984(T5L,F,T)

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RN4986(T5L,F,T)

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RN4909(T5L,F,T)

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RN4984FE,LF(CB

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