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2646886RN4984FE,LF(CB imageToshiba Semiconductor and Storage

RN4984FE,LF(CB

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Spécifications
  • Modèle de produit
    RN4984FE,LF(CB
  • Fabricant / marque
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
  • Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)
    50V
  • Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
    300mV @ 250µA, 5mA
  • Transistor Type
    1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Package composant fournisseur
    ES6
  • Séries
    -
  • Résistance - Base de l'émetteur (R2)
    47 kOhms
  • Résistance - Base (R1)
    47 kOhms
  • Puissance - Max
    100mW
  • Emballage
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Boîte
    SOT-563, SOT-666
  • Autres noms
    RN4984FE(T5L,F,T)
    RN4984FE(T5LFT)TR
    RN4984FE(T5LFT)TR-ND
    RN4984FE,LF(CT
    RN4984FELF(CBTR
    RN4984FELF(CTTR
    RN4984FELF(CTTR-ND
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Délai de livraison standard du fabricant
    16 Weeks
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Fréquence - Transition
    250MHz
  • Description détaillée
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ES6
  • Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce
    80 @ 10mA, 5V
  • Courant - Collecteur Cutoff (Max)
    100nA (ICBO)
  • Courant - Collecteur (Ic) (max)
    100mA
RN4982,LF(CT

RN4982,LF(CT

La description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
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RN4984(T5L,F,T)

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RN4990(T5L,F,T)

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RN4910,LF

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RN4981FE,LF(CB

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RN4986(T5L,F,T)

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RN4983,LF(CT

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RN4991(T5L,F,T)

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RN4990FE,LF(CB

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RN4988(T5L,F,T)

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RN4982FE,LF(CB

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RN4987FE,LF(CB

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RN4984,LF(CT

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RN4987,LF(CT

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La description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6

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RN4985,LF(CT

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RN4989(T5L,F,T)

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RN4981,LF(CT

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RN4986FE,LF(CB

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RN4983FE,LF(CB

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