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3657385W978H2KBVX2E imageWinbond Electronics Corporation

W978H2KBVX2E

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Spécifications
  • Modèle de produit
    W978H2KBVX2E
  • Fabricant / marque
    Winbond Electronics Corporation
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    IC DRAM 256M PARALLEL 134VFBGA
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    W978H2KBVX2E.pdf
  • Écrire le temps de cycle - Word, Page
    15ns
  • Tension - Alimentation
    1.14 V ~ 1.95 V
  • La technologie
    SDRAM - Mobile LPDDR2
  • Package composant fournisseur
    134-VFBGA (10x11.5)
  • Séries
    -
  • Emballage
    Tray
  • Package / Boîte
    134-VFBGA
  • Température de fonctionnement
    -25°C ~ 85°C (TC)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Type de mémoire
    Volatile
  • Taille mémoire
    256Mb (8M x 32)
  • Interface mémoire
    Parallel
  • Format de mémoire
    DRAM
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Description détaillée
    SDRAM - Mobile LPDDR2 Memory IC 256Mb (8M x 32) Parallel 400MHz 134-VFBGA (10x11.5)
  • Fréquence d'horloge
    400MHz

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Paiement
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W979H2KBQX2I

W979H2KBQX2I

La description: IC DRAM 512M PARALLEL 168WFBGA

Fabricant: Winbond Electronics Corporation
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RFQ
W979H2KBVX2I

W979H2KBVX2I

La description: IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA

Fabricant: Winbond Electronics Corporation
En stock
RFQ
W978H2KBQX2E

W978H2KBQX2E

La description: IC DRAM 256M PARALLEL 168WFBGA

Fabricant: Winbond Electronics Corporation
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RFQ
W978H6KBQX2I

W978H6KBQX2I

La description: IC DRAM 256M PARALLEL 168WFBGA

Fabricant: Winbond Electronics Corporation
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RFQ
W978H6KBVX2E

W978H6KBVX2E

La description: IC DRAM 256M PARALLEL 134VFBGA

Fabricant: Winbond Electronics Corporation
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RFQ
W9751G8KB-25 TR

W9751G8KB-25 TR

La description: IC DRAM 512M PARALLEL 60WBGA

Fabricant: Winbond Electronics Corporation
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RFQ
W9751G8KB-25

W9751G8KB-25

La description: IC DRAM 512M PARALLEL 60WBGA

Fabricant: Winbond Electronics Corporation
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RFQ
W9751G6KB25I

W9751G6KB25I

La description: IC DRAM 512M PARALLEL 84WBGA

Fabricant: Winbond Electronics Corporation
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RFQ
W979H2KBVX2E

W979H2KBVX2E

La description: IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA

Fabricant: Winbond Electronics Corporation
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W9751G8KB25I TR

W9751G8KB25I TR

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Fabricant: Winbond Electronics Corporation
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W978H2KBQX2I

W978H2KBQX2I

La description: IC DRAM 256M PARALLEL 168WFBGA

Fabricant: Winbond Electronics Corporation
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RFQ
W979H6KBQX2E

W979H6KBQX2E

La description: IC DRAM 512M PARALLEL 168WFBGA

Fabricant: Winbond Electronics Corporation
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W978H2KBVX2I

W978H2KBVX2I

La description: IC DRAM 256M PARALLEL 134VFBGA

Fabricant: Winbond Electronics Corporation
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W9751G6KB-25 TR

W9751G6KB-25 TR

La description: IC DRAM 512M PARALLEL 84WBGA

Fabricant: Winbond Electronics Corporation
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W9751G6KB25I TR

W9751G6KB25I TR

La description: IC DRAM 512M PARALLEL 84WBGA

Fabricant: Winbond Electronics Corporation
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W978H6KBVX2I

W978H6KBVX2I

La description: IC DRAM 256M PARALLEL 134VFBGA

Fabricant: Winbond Electronics Corporation
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W978H6KBQX2E

W978H6KBQX2E

La description: IC DRAM 256M PARALLEL 168WFBGA

Fabricant: Winbond Electronics Corporation
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W979H2KBQX2E

W979H2KBQX2E

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Fabricant: Winbond Electronics Corporation
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W9751G6KB-25

W9751G6KB-25

La description: IC DRAM 512M PARALLEL 84WBGA

Fabricant: Winbond Electronics Corporation
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W9751G8KB25I

W9751G8KB25I

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Fabricant: Winbond Electronics Corporation
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