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Accueil > Centre des produits > Circuits intégrés (ci) > Mémoire > W9751G8KB25I
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4533596W9751G8KB25I imageWinbond Electronics Corporation

W9751G8KB25I

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Spécifications
  • Modèle de produit
    W9751G8KB25I
  • Fabricant / marque
    Winbond Electronics Corporation
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    IC DRAM 512M PARALLEL 60WBGA
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    W9751G8KB25I.pdf
  • Écrire le temps de cycle - Word, Page
    15ns
  • Tension - Alimentation
    1.7 V ~ 1.9 V
  • La technologie
    SDRAM - DDR2
  • Package composant fournisseur
    60-WBGA (8x12.5)
  • Séries
    -
  • Emballage
    Tray
  • Package / Boîte
    60-TFBGA
  • Température de fonctionnement
    -40°C ~ 95°C (TC)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Type de mémoire
    Volatile
  • Taille mémoire
    512Mb (64M x 8)
  • Interface mémoire
    Parallel
  • Format de mémoire
    DRAM
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Description détaillée
    SDRAM - DDR2 Memory IC 512Mb (64M x 8) Parallel 400MHz 400ps 60-WBGA (8x12.5)
  • Fréquence d'horloge
    400MHz
  • Temps d'accès
    400ps

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Expédition
Paiement
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W978H2KBVX2I

W978H2KBVX2I

La description: IC DRAM 256M PARALLEL 134VFBGA

Fabricant: Winbond Electronics Corporation
En stock
RFQ
W979H2KBQX2E

W979H2KBQX2E

La description: IC DRAM 512M PARALLEL 168WFBGA

Fabricant: Winbond Electronics Corporation
En stock
RFQ
W9751G6KB-18 TR

W9751G6KB-18 TR

La description: IC DRAM 512M PARALLEL 84WBGA

Fabricant: Winbond Electronics Corporation
En stock
RFQ
W978H2KBVX2E

W978H2KBVX2E

La description: IC DRAM 256M PARALLEL 134VFBGA

Fabricant: Winbond Electronics Corporation
En stock
RFQ
W978H6KBQX2E

W978H6KBQX2E

La description: IC DRAM 256M PARALLEL 168WFBGA

Fabricant: Winbond Electronics Corporation
En stock
RFQ
W9751G8KB-25

W9751G8KB-25

La description: IC DRAM 512M PARALLEL 60WBGA

Fabricant: Winbond Electronics Corporation
En stock
RFQ
W978H2KBQX2I

W978H2KBQX2I

La description: IC DRAM 256M PARALLEL 168WFBGA

Fabricant: Winbond Electronics Corporation
En stock
RFQ
W9751G6KB-25

W9751G6KB-25

La description: IC DRAM 512M PARALLEL 84WBGA

Fabricant: Winbond Electronics Corporation
En stock
RFQ
W9751G8KB-25 TR

W9751G8KB-25 TR

La description: IC DRAM 512M PARALLEL 60WBGA

Fabricant: Winbond Electronics Corporation
En stock
RFQ
W978H2KBQX2E

W978H2KBQX2E

La description: IC DRAM 256M PARALLEL 168WFBGA

Fabricant: Winbond Electronics Corporation
En stock
RFQ
W9751G6KB25I

W9751G6KB25I

La description: IC DRAM 512M PARALLEL 84WBGA

Fabricant: Winbond Electronics Corporation
En stock
RFQ
W9751G6KB25I TR

W9751G6KB25I TR

La description: IC DRAM 512M PARALLEL 84WBGA

Fabricant: Winbond Electronics Corporation
En stock
RFQ
W9751G6KB-25 TR

W9751G6KB-25 TR

La description: IC DRAM 512M PARALLEL 84WBGA

Fabricant: Winbond Electronics Corporation
En stock
RFQ
W9751G6IB-25

W9751G6IB-25

La description: IC DRAM 512M PARALLEL 84WBGA

Fabricant: Winbond Electronics Corporation
En stock
RFQ
W9751G6KB-18

W9751G6KB-18

La description: IC DRAM 512M PARALLEL 84WBGA

Fabricant: Winbond Electronics Corporation
En stock
RFQ
W978H6KBVX2E

W978H6KBVX2E

La description: IC DRAM 256M PARALLEL 134VFBGA

Fabricant: Winbond Electronics Corporation
En stock
RFQ
W972GG8JB25I TR

W972GG8JB25I TR

La description: IC DRAM 2G PARALLEL 60WBGA

Fabricant: Winbond Electronics Corporation
En stock
RFQ
W978H6KBQX2I

W978H6KBQX2I

La description: IC DRAM 256M PARALLEL 168WFBGA

Fabricant: Winbond Electronics Corporation
En stock
RFQ
W9751G8KB25I TR

W9751G8KB25I TR

La description: IC DRAM 512M PARALLEL 60WBGA

Fabricant: Winbond Electronics Corporation
En stock
RFQ
W978H6KBVX2I

W978H6KBVX2I

La description: IC DRAM 256M PARALLEL 134VFBGA

Fabricant: Winbond Electronics Corporation
En stock
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