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W97AH2KBQX2E

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Spécifications
  • Modèle de produit
    W97AH2KBQX2E
  • Fabricant / marque
    Winbond Electronics Corporation
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    IC DRAM 1G PARALLEL 168WFBGA
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    W97AH2KBQX2E.pdf
  • Écrire le temps de cycle - Word, Page
    15ns
  • Tension - Alimentation
    1.14 V ~ 1.95 V
  • La technologie
    SDRAM - Mobile LPDDR2
  • Package composant fournisseur
    168-WFBGA (12x12)
  • Séries
    -
  • Emballage
    Tray
  • Package / Boîte
    168-WFBGA
  • Température de fonctionnement
    -25°C ~ 85°C (TC)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Type de mémoire
    Volatile
  • Taille mémoire
    1Gb (32M x 32)
  • Interface mémoire
    Parallel
  • Format de mémoire
    DRAM
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Description détaillée
    SDRAM - Mobile LPDDR2 Memory IC 1Gb (32M x 32) Parallel 400MHz 168-WFBGA (12x12)
  • Fréquence d'horloge
    400MHz

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W97AH2KBQX2I

W97AH2KBQX2I

La description: IC DRAM 1G PARALLEL 168WFBGA

Fabricant: Winbond Electronics Corporation
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RFQ
W97AH6KBVX2E

W97AH6KBVX2E

La description: IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA

Fabricant: Winbond Electronics Corporation
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RFQ
W979H2KBVX2I

W979H2KBVX2I

La description: IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA

Fabricant: Winbond Electronics Corporation
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W97AH2KBVX2I

W97AH2KBVX2I

La description: IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA

Fabricant: Winbond Electronics Corporation
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RFQ
W979H6KBVX2I

W979H6KBVX2I

La description: IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA

Fabricant: Winbond Electronics Corporation
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RFQ
W97AH6KBQX2E

W97AH6KBQX2E

La description: IC DRAM 1G PARALLEL 168WFBGA

Fabricant: Winbond Electronics Corporation
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RFQ
W97BH2KBQX2E

W97BH2KBQX2E

La description: IC DRAM 2G PARALLEL 168WFBGA

Fabricant: Winbond Electronics Corporation
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RFQ
W97AH6KBQX2I

W97AH6KBQX2I

La description: IC DRAM 1G PARALLEL 168WFBGA

Fabricant: Winbond Electronics Corporation
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RFQ
W979H6KBVX2I TR

W979H6KBVX2I TR

La description: IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA

Fabricant: Winbond Electronics Corporation
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W979H2KBVX2E

W979H2KBVX2E

La description: IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA

Fabricant: Winbond Electronics Corporation
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W979H6KBQX2E

W979H6KBQX2E

La description: IC DRAM 512M PARALLEL 168WFBGA

Fabricant: Winbond Electronics Corporation
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W97AH6KBVX2I

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La description: IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA

Fabricant: Winbond Electronics Corporation
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W979H2KBQX2I

W979H2KBQX2I

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Fabricant: Winbond Electronics Corporation
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W97AH6KBVX2E TR

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W979H6KBVX2E TR

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W979H6KBVX2E

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W979H2KBQX2E

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W97AH2KBVX2E

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W97AH6KBVX2I TR

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W979H6KBQX2I

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