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Accueil > Centre des produits > Circuits intégrés (ci) > Mémoire > W97AH6KBVX2E TR
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5327686W97AH6KBVX2E TR imageWinbond Electronics Corporation

W97AH6KBVX2E TR

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Spécifications
  • Modèle de produit
    W97AH6KBVX2E TR
  • Fabricant / marque
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
  • Écrire le temps de cycle - Word, Page
    15ns
  • Tension - Alimentation
    1.14 V ~ 1.95 V
  • La technologie
    SDRAM - Mobile LPDDR2
  • Package composant fournisseur
    134-VFBGA (10x11.5)
  • Séries
    -
  • Emballage
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Boîte
    134-VFBGA
  • Autres noms
    W97AH6KBVX2E TR-ND
    W97AH6KBVX2ETR
  • Température de fonctionnement
    -25°C ~ 85°C (TC)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Type de mémoire
    Volatile
  • Taille mémoire
    1Gb (64M x 16)
  • Interface mémoire
    Parallel
  • Format de mémoire
    DRAM
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Description détaillée
    SDRAM - Mobile LPDDR2 Memory IC 1Gb (64M x 16) Parallel 400MHz 134-VFBGA (10x11.5)
  • Fréquence d'horloge
    400MHz
W97BH2KBQX2E

W97BH2KBQX2E

La description: IC DRAM 2G PARALLEL 168WFBGA

Fabricant: Winbond Electronics Corporation
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W97AH6KBVX2I TR

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Fabricant: Winbond Electronics Corporation
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W97BH2KBVX2E

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Fabricant: Winbond Electronics Corporation
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W979H6KBVX2E TR

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La description: IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA

Fabricant: Winbond Electronics Corporation
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W97BH6KBVX2I

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W979H6KBVX2I

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W979H6KBVX2I TR

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