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3211321W9812G6KH-5 TR imageWinbond Electronics Corporation

W9812G6KH-5 TR

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Spécifications
  • Modèle de produit
    W9812G6KH-5 TR
  • Fabricant / marque
    Winbond Electronics Corporation
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    W9812G6KH-5 TR.pdf
  • Écrire le temps de cycle - Word, Page
    -
  • Tension - Alimentation
    3 V ~ 3.6 V
  • La technologie
    SDRAM
  • Package composant fournisseur
    54-TSOP II
  • Séries
    -
  • Emballage
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Boîte
    54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Autres noms
    W9812G6KH-5 TR-ND
    W9812G6KH-5TR
  • Température de fonctionnement
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Type de mémoire
    Volatile
  • Taille mémoire
    128Mb (8M x 16)
  • Interface mémoire
    Parallel
  • Format de mémoire
    DRAM
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Description détaillée
    SDRAM Memory IC 128Mb (8M x 16) Parallel 200MHz 4.5ns 54-TSOP II
  • Fréquence d'horloge
    200MHz
  • Temps d'accès
    4.5ns

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W9816G6JB-6 TR

W9816G6JB-6 TR

La description: IC DRAM 16M PARALLEL 60VFBGA

Fabricant: Winbond Electronics Corporation
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RFQ
W9812G6KH-5

W9812G6KH-5

La description: IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

Fabricant: Winbond Electronics Corporation
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W9816G6IB-6

W9816G6IB-6

La description: IC DRAM 16M PARALLEL 60VFBGA

Fabricant: Winbond Electronics Corporation
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RFQ
W9812G2KB-6I TR

W9812G2KB-6I TR

La description: IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA

Fabricant: Winbond Electronics Corporation
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RFQ
W9812G6KH-6I TR

W9812G6KH-6I TR

La description: IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

Fabricant: Winbond Electronics Corporation
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RFQ
W9812G6KH-6I

W9812G6KH-6I

La description: IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

Fabricant: Winbond Electronics Corporation
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RFQ
W9812G6JB-6I TR

W9812G6JB-6I TR

La description: IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA

Fabricant: Winbond Electronics Corporation
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RFQ
W9816G6IH-6I

W9816G6IH-6I

La description: IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II

Fabricant: Winbond Electronics Corporation
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RFQ
W9816G6JB-6I

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La description: IC DRAM 16M PARALLEL 60VFBGA

Fabricant: Winbond Electronics Corporation
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RFQ
W9816G6IH-6

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La description: IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II

Fabricant: Winbond Electronics Corporation
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RFQ
W9816G6JB-6

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La description: IC DRAM 16M PARALLEL 60VFBGA

Fabricant: Winbond Electronics Corporation
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RFQ
W9812G6JH-5

W9812G6JH-5

La description: IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

Fabricant: Winbond Electronics Corporation
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W9812G2KB-6I

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La description: IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA

Fabricant: Winbond Electronics Corporation
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W9812G6JH-6I

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La description: IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

Fabricant: Winbond Electronics Corporation
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W9812G6JB-6

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La description: IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA

Fabricant: Winbond Electronics Corporation
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W9812G6JB-6I

W9812G6JB-6I

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W9812G6KH-6

W9812G6KH-6

La description: IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

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W9812G6JB-6 TR

W9812G6JB-6 TR

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W9812G6KH-6 TR

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W9812G6IH-6

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