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1673526W987D6HBGX6I TR imageWinbond Electronics Corporation

W987D6HBGX6I TR

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Spécifications
  • Modèle de produit
    W987D6HBGX6I TR
  • Fabricant / marque
    Winbond Electronics Corporation
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    W987D6HBGX6I TR.pdf
  • Écrire le temps de cycle - Word, Page
    15ns
  • Tension - Alimentation
    1.7 V ~ 1.95 V
  • La technologie
    SDRAM - Mobile LPSDR
  • Package composant fournisseur
    54-VFBGA (8x9)
  • Séries
    -
  • Emballage
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Boîte
    54-TFBGA
  • Autres noms
    W987D6HBGX6I TR-ND
    W987D6HBGX6ITR
  • Température de fonctionnement
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Type de mémoire
    Volatile
  • Taille mémoire
    128Mb (8M x 16)
  • Interface mémoire
    Parallel
  • Format de mémoire
    DRAM
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Description détaillée
    SDRAM - Mobile LPSDR Memory IC 128Mb (8M x 16) Parallel 166MHz 5.4ns 54-VFBGA (8x9)
  • Fréquence d'horloge
    166MHz
  • Temps d'accès
    5.4ns

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Expédition
Paiement
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W987D2HBJX6E

W987D2HBJX6E

La description: IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

Fabricant: Winbond Electronics Corporation
En stock
RFQ
W987D2HBJX7E

W987D2HBJX7E

La description: IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

Fabricant: Winbond Electronics Corporation
En stock
RFQ
W988D6FBGX6E TR

W988D6FBGX6E TR

La description: IC DRAM 256M PARALLEL 54VFBGA

Fabricant: Winbond Electronics Corporation
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RFQ
W987D2HBJX6I TR

W987D2HBJX6I TR

La description: IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

Fabricant: Winbond Electronics Corporation
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RFQ
W9864G6KH-6I TR

W9864G6KH-6I TR

La description: IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP

Fabricant: Winbond Electronics Corporation
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RFQ
W987D2HBJX6E TR

W987D2HBJX6E TR

La description: IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

Fabricant: Winbond Electronics Corporation
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RFQ
W987D2HBJX6I

W987D2HBJX6I

La description: IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

Fabricant: Winbond Electronics Corporation
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RFQ
W988D2FBJX7E TR

W988D2FBJX7E TR

La description: IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

Fabricant: Winbond Electronics Corporation
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W988D2FBJX6E TR

W988D2FBJX6E TR

La description: IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

Fabricant: Winbond Electronics Corporation
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RFQ
W988D6FBGX6E

W988D6FBGX6E

La description: IC DRAM 256M PARALLEL 54VFBGA

Fabricant: Winbond Electronics Corporation
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RFQ
W988D2FBJX7E

W988D2FBJX7E

La description: IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

Fabricant: Winbond Electronics Corporation
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RFQ
W987D6HBGX7E TR

W987D6HBGX7E TR

La description: IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

Fabricant: Winbond Electronics Corporation
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RFQ
W987D6HBGX6E

W987D6HBGX6E

La description: IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

Fabricant: Winbond Electronics Corporation
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W987D6HBGX6I

W987D6HBGX6I

La description: IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

Fabricant: Winbond Electronics Corporation
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W987D6HBGX7E

W987D6HBGX7E

La description: IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

Fabricant: Winbond Electronics Corporation
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W987D2HBJX7E TR

W987D2HBJX7E TR

La description: IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

Fabricant: Winbond Electronics Corporation
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W988D2FBJX6I

W988D2FBJX6I

La description: IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

Fabricant: Winbond Electronics Corporation
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W988D2FBJX6E

W988D2FBJX6E

La description: IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

Fabricant: Winbond Electronics Corporation
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W987D6HBGX6E TR

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La description: IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

Fabricant: Winbond Electronics Corporation
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W988D2FBJX6I TR

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