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Accueil > Centre des produits > Circuits intégrés (ci) > Mémoire > W987D2HBJX6E
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5069638W987D2HBJX6E imageWinbond Electronics Corporation

W987D2HBJX6E

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Spécifications
  • Modèle de produit
    W987D2HBJX6E
  • Fabricant / marque
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
  • Écrire le temps de cycle - Word, Page
    15ns
  • Tension - Alimentation
    1.7 V ~ 1.95 V
  • La technologie
    SDRAM - Mobile LPSDR
  • Package composant fournisseur
    90-VFBGA (8x13)
  • Séries
    -
  • Emballage
    Tray
  • Package / Boîte
    90-TFBGA
  • Température de fonctionnement
    -25°C ~ 85°C (TC)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Type de mémoire
    Volatile
  • Taille mémoire
    128Mb (4M x 32)
  • Interface mémoire
    Parallel
  • Format de mémoire
    DRAM
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Description détaillée
    SDRAM - Mobile LPSDR Memory IC 128Mb (4M x 32) Parallel 166MHz 5.4ns 90-VFBGA (8x13)
  • Fréquence d'horloge
    166MHz
  • Temps d'accès
    5.4ns
W987D2HBJX6I TR

W987D2HBJX6I TR

La description: IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

Fabricant: Winbond Electronics Corporation
En stock
W987D6HBGX7E

W987D6HBGX7E

La description: IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

Fabricant: Winbond Electronics Corporation
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W987D2HBJX7E TR

W987D2HBJX7E TR

La description: IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

Fabricant: Winbond Electronics Corporation
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W987D6HBGX6I TR

W987D6HBGX6I TR

La description: IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

Fabricant: Winbond Electronics Corporation
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W987D2HBJX7E

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La description: IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

Fabricant: Winbond Electronics Corporation
En stock
W987D2HBJX6E TR

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Fabricant: Winbond Electronics Corporation
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W9864G6JH-5

W9864G6JH-5

La description: IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP

Fabricant: Winbond Electronics Corporation
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W9864G6KH-6I

W9864G6KH-6I

La description: IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP

Fabricant: Winbond Electronics Corporation
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W9864G6KH-5

W9864G6KH-5

La description: IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP

Fabricant: Winbond Electronics Corporation
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W987D6HBGX6I

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La description: IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

Fabricant: Winbond Electronics Corporation
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W9864G6KH-6 TR

W9864G6KH-6 TR

La description: IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP

Fabricant: Winbond Electronics Corporation
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W987D6HBGX6E TR

W987D6HBGX6E TR

La description: IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

Fabricant: Winbond Electronics Corporation
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W9864G6KH-5 TR

W9864G6KH-5 TR

La description: IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP

Fabricant: Winbond Electronics Corporation
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W9864G6KH-6

W9864G6KH-6

La description: IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP

Fabricant: Winbond Electronics Corporation
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W9864G6JT-6

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La description: IC DRAM 64M PARALLEL 54TFBGA

Fabricant: Winbond Electronics Corporation
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W9864G6JB-6

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La description: IC DRAM 64M PARALLEL 60VFBGA

Fabricant: Winbond Electronics Corporation
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W987D2HBJX6I

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La description: IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

Fabricant: Winbond Electronics Corporation
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W987D6HBGX6E

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La description: IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

Fabricant: Winbond Electronics Corporation
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W9864G6JH-6I

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La description: IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP

Fabricant: Winbond Electronics Corporation
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