FDD3672

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Spécifications

Modèle de produit

FDD3672
Fabricant / marque

AMI Semiconductor/onsemi
Quantité en stock

En stock
La description
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

FDD3672.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

TO-252AA
Séries

UltraFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

28 mOhm @ 44A, 10V
Dissipation de puissance (max)

135W (Tc)
Emballage

Cut Tape (CT)
Package / Boîte

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Autres noms

FDD3672CT
Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

23 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

1710pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

36nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

6V, 10V
Tension drain-source (Vdss)

100V
Description détaillée

N-Channel 100V 6.5A (Ta), 44A (Tc) 135W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

6.5A (Ta), 44A (Tc)

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FDD390N15ALZ

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