FDD3682

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Spécifications

Modèle de produit

FDD3682
Fabricant / marque

AMI Semiconductor/onsemi
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CH 100V 32A D-PAK
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

FDD3682.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

TO-252AA
Séries

PowerTrench®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

36 mOhm @ 32A, 10V
Dissipation de puissance (max)

95W (Tc)
Emballage

Tape & Reel (TR)
Package / Boîte

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Autres noms

FDD3682-ND
FDD3682TR
Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

1250pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

28nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

6V, 10V
Tension drain-source (Vdss)

100V
Description détaillée

N-Channel 100V 5.5A (Ta), 32A (Tc) 95W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

5.5A (Ta), 32A (Tc)

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Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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