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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > NTD5865NLT4G

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NTD5865NLT4G image

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NTD5865NLT4G

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Spécifications

Modèle de produit

NTD5865NLT4G
Fabricant / marque

AMI Semiconductor/onsemi
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CH 60V 46A DPAK
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

NTD5865NLT4G.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

DPAK
Séries

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

16 mOhm @ 20A, 10V
Dissipation de puissance (max)

71W (Tc)
Emballage

Cut Tape (CT)
Package / Boîte

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Autres noms

NTD5865NLT4GOSCT
Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

32 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

1400pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

29nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss)

60V
Description détaillée

N-Channel 60V 46A (Tc) 71W (Tc) Surface Mount DPAK
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

46A (Tc)

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Expédition

Paiement

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NTD5C434NT4G

La description: T6 40V SL IN DPAK

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NTD5C446NT4G

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NTD5806NT4G

La description: MOSFET N-CH 40V 33A DPAK

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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NTD60N02R

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Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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