Pour les visiteurs de Electronica 2024

Réservez votre temps maintenant!

Il suffit de quelques clics pour réserver votre place et obtenir le billet de stand

Hall C5 Booth 220

Inscription à l'avance

Pour les visiteurs de Electronica 2024
Vous êtes tous inscrits! Merci d'avoir pris rendez-vous!
Nous vous enverrons les billets de stand par e-mail une fois que nous aurons vérifié votre réservation.
Accueil > Centre des produits > Circuits intégrés (ci) > Mémoire > AS4C16M16D1-5TIN
RFQs/Ordre (0)
Français
Français
420577AS4C16M16D1-5TIN imageAlliance Memory, Inc.

AS4C16M16D1-5TIN

Demander une offre en ligne

Veuillez compléter tous les champs requis avec vos coordonnées. Cliquez sur "Soumettre RFQ", nous vous contacterons sous peu par e-mail.Ou envoyez-nous un e-mail:info@ftcelectronics.com
Enquête en ligne
Spécifications
  • Modèle de produit
    AS4C16M16D1-5TIN
  • Fabricant / marque
    Alliance Memory, Inc.
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    AS4C16M16D1-5TIN.pdf
  • Écrire le temps de cycle - Word, Page
    15ns
  • Tension - Alimentation
    2.3 V ~ 2.7 V
  • La technologie
    SDRAM - DDR
  • Package composant fournisseur
    66-TSOP II
  • Séries
    -
  • Emballage
    Tray
  • Package / Boîte
    66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Autres noms
    1450-1143-5
    AS4C16M16D1-5TIN-ND
  • Température de fonctionnement
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Type de mémoire
    Volatile
  • Taille mémoire
    256Mb (16M x 16)
  • Interface mémoire
    Parallel
  • Format de mémoire
    DRAM
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Description détaillée
    SDRAM - DDR Memory IC 256Mb (16M x 16) Parallel 200MHz 700ps 66-TSOP II
  • Fréquence d'horloge
    200MHz
  • Temps d'accès
    700ps

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip annonce 500 licenciements, avec des coûts de res...

2024/12/4

Quanta: La demande d'IA continue d'être forte, ave...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung réduit considérablement l'utilisation de la p...

2024/12/2

Vishay investira 51 millions de livres sterling dans le NWF...

2024/11/29

La menace tarifaire de Trump, Nvidia, les fournisseurs d...

2024/11/28

Intel recevra 7,86 milliards de dollars de subventions en v...

2024/11/27

AMD lance la construction de la deuxième phase du Bangalor...

2024/11/26

La carte graphique NVIDIA RTX 5090 a une zone GPU de 744 mm...

2024/11/25

Anthropic reçoit un autre investissement de 4 milliards de...

2024/11/23

Semi: les ventes IC augmentent de 12% au troisième tri...

2024/11/22
Expédition
Paiement
Ce qui suit est des produits liés à "AS4C16M16D1-5TIN".
AS4C16M16D2-25BCNTR

AS4C16M16D2-25BCNTR

La description: IC DRAM 256M PARALLEL 84TFBGA

Fabricant: Alliance Memory, Inc.
En stock
RFQ
AS4C128MD2-25BCNTR

AS4C128MD2-25BCNTR

La description: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

Fabricant: Alliance Memory, Inc.
En stock
RFQ
AS4C16M16D2-25BCN

AS4C16M16D2-25BCN

La description: IC DRAM 256M PARALLEL 84TFBGA

Fabricant: Alliance Memory, Inc.
En stock
RFQ
AS4C128M8D3LB-12BIN

AS4C128M8D3LB-12BIN

La description: IC DRAM 1G PARALLEL 78FBGA

Fabricant: Alliance Memory, Inc.
En stock
RFQ
AS4C16M16D1-5BINTR

AS4C16M16D1-5BINTR

La description: IC DRAM 256M PARALLEL 60TFBGA

Fabricant: Alliance Memory, Inc.
En stock
RFQ
AS4C16M16D1A-5TINTR

AS4C16M16D1A-5TINTR

La description: IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II

Fabricant: Alliance Memory, Inc.
En stock
RFQ
AS4C16M16D1-5BCN

AS4C16M16D1-5BCN

La description: IC DRAM 256M PARALLEL 60TFBGA

Fabricant: Alliance Memory, Inc.
En stock
RFQ
AS4C128M8D3LB-12BCNTR

AS4C128M8D3LB-12BCNTR

La description: IC DRAM 1G PARALLEL 78FBGA

Fabricant: Alliance Memory, Inc.
En stock
RFQ
AS4C16M16D1-5BCNTR

AS4C16M16D1-5BCNTR

La description: IC DRAM 256M PARALLEL 60TFBGA

Fabricant: Alliance Memory, Inc.
En stock
RFQ
AS4C128M8D3LB-12BINTR

AS4C128M8D3LB-12BINTR

La description: IC DRAM 1G PARALLEL 78FBGA

Fabricant: Alliance Memory, Inc.
En stock
RFQ
AS4C16M16MD1-6BCN

AS4C16M16MD1-6BCN

La description: IC DRAM 256M PARALLEL 60FPBGA

Fabricant: Alliance Memory, Inc.
En stock
RFQ
AS4C16M16D1-5TCN

AS4C16M16D1-5TCN

La description: IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II

Fabricant: Alliance Memory, Inc.
En stock
RFQ
AS4C16M16D1-5BIN

AS4C16M16D1-5BIN

La description: IC DRAM 256M PARALLEL 60TFBGA

Fabricant: Alliance Memory, Inc.
En stock
RFQ
AS4C16M16D2-25BINTR

AS4C16M16D2-25BINTR

La description: IC DRAM 256M PARALLEL 84TFBGA

Fabricant: Alliance Memory, Inc.
En stock
RFQ
AS4C16M16D1-5TINTR

AS4C16M16D1-5TINTR

La description: IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II

Fabricant: Alliance Memory, Inc.
En stock
RFQ
AS4C16M16D1A-5TCNTR

AS4C16M16D1A-5TCNTR

La description: IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II

Fabricant: Alliance Memory, Inc.
En stock
RFQ
AS4C16M16D2-25BIN

AS4C16M16D2-25BIN

La description: IC DRAM 256M PARALLEL 84TFBGA

Fabricant: Alliance Memory, Inc.
En stock
RFQ
AS4C16M16D1A-5TCN

AS4C16M16D1A-5TCN

La description: IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II

Fabricant: Alliance Memory, Inc.
En stock
RFQ
AS4C16M16D1-5TCNTR

AS4C16M16D1-5TCNTR

La description: IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II

Fabricant: Alliance Memory, Inc.
En stock
RFQ
AS4C16M16D1A-5TIN

AS4C16M16D1A-5TIN

La description: IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II

Fabricant: Alliance Memory, Inc.
En stock
RFQ
En tant que seul distributeur public sur le marché libre, nous possédons une combinaison unique d'accès mondial, d'expertise de l'industrie manufacturière et de qualité éprouvée.Avec cela, nous pouvons créer des solutions personnalisées de la chaîne d'approvisionnement de bout en bout pour l'approvisionnement en composants électroniques et la gestion des stocks.
Suivez-nous
termes et conditionsPolitique d'infractionDemander un devisÀ propos de nousContactez-nousSite

Choisir la langue

Cliquez sur l'espace pour quitter

Langue courante

Choisissez votre pays ou région.