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Accueil > Centre des produits > Circuits intégrés (CI) > Mémoire > AS4C16M16D2-25BINTR
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6451904AS4C16M16D2-25BINTR imageAlliance Memory, Inc.

AS4C16M16D2-25BINTR

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Spécifications
  • Modèle de produit
    AS4C16M16D2-25BINTR
  • Fabricant / marque
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    IC DRAM 256M PARALLEL 84TFBGA
  • État sans plomb / État RoHS
  • Livret des spécifications
  • Écrire le temps de cycle - Word, Page
    15ns
  • Tension - Alimentation
    1.7 V ~ 1.9 V
  • La technologie
    SDRAM - DDR2
  • Package composant fournisseur
    84-TFBGA (12.5x8)
  • Séries
    -
  • Emballage
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Boîte
    84-TFBGA
  • Température de fonctionnement
    -40°C ~ 95°C (TC)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Type de mémoire
    Volatile
  • Taille mémoire
    256Mb (16M x 16)
  • Interface mémoire
    Parallel
  • Format de mémoire
    DRAM
  • Délai de livraison standard du fabricant
    8 Weeks
  • Description détaillée
    SDRAM - DDR2 Memory IC 256Mb (16M x 16) Parallel 400MHz 400ps 84-TFBGA (12.5x8)
  • Fréquence d'horloge
    400MHz
  • Temps d'accès
    400ps
AS4C16M16MSA-6BINTR

AS4C16M16MSA-6BINTR

La description: IC DRAM 256M PARALLEL 54FBGA

Fabricant: Alliance Memory, Inc.
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AS4C16M16MD1-6BIN

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AS4C16M16S-6TANTR

AS4C16M16S-6TANTR

La description: IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

Fabricant: Alliance Memory, Inc.
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AS4C16M16D2-25BIN

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AS4C16M16D1A-5TINTR

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La description: IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II

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AS4C16M16MSA-6BIN

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AS4C16M16S-6BIN

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AS4C16M16D1A-5TCNTR

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AS4C16M16MD1-6BCNTR

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AS4C16M16S-6TAN

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AS4C16M16MD1-6BINTR

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AS4C16M16S-6BINTR

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AS4C16M16D1-5TINTR

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AS4C16M16D2-25BCN

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AS4C16M16D1A-5TIN

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AS4C16M16D1-5TCNTR

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